端点检测器(EPD)是实现最佳工艺结果的重要工具。EPD的使用确保了过程的仔细控制和一致性,以确保实现可靠的可重复的结果,每块晶圆,批次到批次。有几种技术存在,了解每种技术的优点以及它们如何适应您的过程需求以实现您的需求是至关重要的。现在升级并获得多种好处。
我们在以下两类下提供广泛的端点检测器升级:
选项 | 海洋光学USB4000 | AvaSpec - Mini2048CL | 真实性SD1024G | 真实性SD1024GH | 堀叶EV 2.0 |
波长范围 | 200 - 850 nm | 200 - 1100 nm | 200 - 800 nm | 200 - 800 nm | 200 - 1050 nm |
谱仪 | 实时 | 实时 | 实时 | 实时 | 实时 |
端点 | 是的 | 是的 | 高级算法 | 高级算法 | 高级算法 |
舱室状况分析 | 是的 | 是的 | 是的 | 是的 | 是的 |
蚀刻过程监控器 | 是的 | 是的 | 是的 | 是的 | 是的 |
再加工 | 没有 | 没有 | 是的 | 是的 | 是的 |
决议 | 适用于一般单层工艺 | 适用于一般单层工艺 | 适用于复杂多层 | 适用于复杂多层 | 适用于复杂多层 |
适合 | PECVD, RIE, ICP-RIE, CVD和ALD系统 | PECVD, RIE, ICP-RIE, CVD和ALD系统 | RIE和ICP-RIE系统 | RIE和ICP-RIE系统 | RIE和ICP-RIE系统 |
bob综合app官网登录 | PECVD室清洗,SiO2/SiNx蚀刻,PR带,通用蚀刻 | PECVD室清洗,SiO2/SiNx蚀刻,PR带,通用蚀刻 | SiO2/SiNx蚀刻,GaAs/ AlGaAs/ GaSb/ AlGaSb, InP/ InGaAs/ InGaAsP/ InAlGaAs,金属,等离子体分析 | 深Si, GaAs VCSEL | GaAs/ AlGaAs/ GaSb/ AlGaSb, InP/ InGaAs/ InGaAsP/ InAlGaAs, PR条带,等离子体分析 |
光学发射光谱(OES)监测等离子体发出的光。测量光谱中以特定波长发射的光的强度,可以相对测量给定物种的浓度。
蚀刻副产物和气体种类具有特征的发射波长,因此当蚀刻到达一个新层时,可以通过寻找这些发射的变化来检测过程端点。OES末端指向通常需要几厘米的蚀刻区域2根据腐蚀速率和等离子体发射强度,提供等离子体中被腐蚀物种的可检测浓度。
OES的一个普遍应用是PECVD室的等离子清洗。氟发射强度的测量用于确定腔体等离子清洗的终点。在清洗过程中,氟的浓度会很低,因为它被蚀刻过程所消耗,但当室壁变得干净时,它会急剧上升,提供一个端点。
PECVD室清洁端点的典型端点单元如下:
选项 | Horiba LEM | Intellemetrics LEP500 |
运动 | XY和倾斜调整 | XY和倾斜调整 |
样本图像放大 | ×50 | ×50 |
激光波长 | 670/ 905 nm | 670/ 980 nm |
激光光斑尺寸 | 30 ~ 60μm | 8 ~ 24μm |
层结构建模 | 没有 | 是的 |
适合 | RIE和ICP-RIE系统 | RIE和ICP-RIE系统 |
bob综合app官网登录 | SiO2/ SiNx,金属,GaAs/ AlGaAs/ GaSb/ AlGaSb, PR带材,失效分析 | 金属、GaAs VCSEL、GaAs/ AlGaAs/ GaSb/ AlGaSb、InP/ InGaAs/ InGaAsP/ InAlGaAs、PR带材 |
激光干涉仪通过将激光光斑聚焦到晶圆上并测量反射激光的强度来测量蚀刻或沉积过程中晶圆表面反射率的变化。激光干涉仪相机还提供晶圆表面的电视图像,以允许激光光斑精确定位到正确的区域。
蚀刻速率可以通过监测激光信号中由于薄膜内干涉效应而产生的波纹来计算,允许蚀刻在层内的一定深度处停止。层之间的界面也可以被检测到,因为这通常会导致反射率的突然变化。
激光干涉测量通常需要用户在每次运行前对光斑进行定位(除非晶圆片的特定区域专门用于激光指向)。