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离子束蚀刻(IBE)解决方案

原子层沉积(ALD)是一种先进的沉积技术，可以以精确控制的方式沉积几纳米的超薄膜。ALD不仅提供了良好的厚度控制和均匀性，而且3D结构可以覆盖一层保形涂层用于高纵横比结构。

IBE图像或图表

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IBE的主要好处

自限制原子逐层生长
适形涂层
低针孔和粒子水平
高质量的氧化物，低损伤
适用于敏感基材的低温工艺
低成核延迟的金属
广泛的材料和工艺

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生物医学设备

流程

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ALD二氧化硅扫描电镜

采用高速率等离子体ALD SiO制备高纵横比(15:1)结构的保形涂层₂．

ALD氧化铝扫描电镜

80 nm远端等离子体ALD Al₂O_3.薄膜在2.5 mm宽、宽高比~10的沟槽中沉积FlexAL．

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Ionfab IBE系统

FlexAL原子层沉积(ALD)系统提供了广泛的优化的高质量等离子ALD和热ALD工艺，在前体、工艺气体和单个工艺室的硬件配置方面具有最大的灵活性。

可选择射频偏压电极控制薄膜性能
工业标准盒式磁带处理更高的吞吐量
在前体、工艺气体、硬件特性和选项的选择上具有最大的灵活性
优化以保持低损伤，高质量的基材
低温使高质量的沉积在温度敏感的表面

FlexAL

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离子束沉积(IBD)溶液

原子层蚀刻(ALE)是一种先进的蚀刻技术，允许对浅层特征进行极好的深度控制。随着器件特征尺寸的进一步减小，需要ALE来实现峰值性能所需的精度。

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