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Plasma-enhanced CVD、PECVD, "是一种行之有效的技术沉积的各种各样的电影。许多类型的设备需要PECVD创建高质量的钝化或高密度面具。"
PECVD过程"模块专门设计生产优良的均匀性和高速率的电影,与控制电影属性如折射率、压力、电特性和湿化学腐蚀率。
电感耦合等离子体化学汽相淀积,ICPCVD。创建ICP的高密度等离子体源意味着这种技术提供了沉积高质量的介电薄膜在低温低伤害。
低温沉积意味着热敏电影和设备可以处理成功。
PECVD过程和室图。
ICPCVD过程和室图
高质量的电影、高吞吐量、优秀的均匀性
| PlasmaPro 80 | PlasmaPro 100 | PlasmaPro 800 | |||||||||
| 技术 | PECVD & ICPCVD " | PECVD & ICPCVD " | PECVD | ||||||||
| 电极的大小 | 240毫米 | 460毫米 | |||||||||
| 基板 | 240毫米直径 | 200毫米直径 | 460毫米直径 | ||||||||
| 掺杂物 | 没有 | 各种可用的 | 没有 | ||||||||
| 液体前驱 | 没有 | 是的(teo) | 没有 | ||||||||
| MFC控制天然气管道 | 4、8和12行气箱可用 | ||||||||||
| 晶圆级温度范围 | 20°C到400°C | 20°C到1200°C | 20°C到400°C | ||||||||
| 现场等离子清洗 | 是的 | 是的 | 是的 | ||||||||
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