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强大的等离子体刻蚀的解决方案

发现我们的行业领先的RIE ICP刻蚀和DSiE解决方案和系统。

离子束刻蚀(IBE)解决方案

原子层沉积(ALD)是一种先进的沉积技术,允许一些纳米超薄薄膜沉积在一个精确控制的方法。不仅ALD提供优秀的厚度控制和均匀性,但3 d结构可以保形涂层覆盖high-aspect-ratio结构。

关键的好处IBE

  • 自限性原子层增长
  • 适形涂层
  • 针孔和粒子水平低
  • 高质量较低的氧化损伤
  • 低温过程敏感的基质
  • 较低的金属成核延迟
  • 广泛的材料和流程

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流程

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ALD二氧化硅扫描电镜

保形涂层的高纵横比(15:1)结构与高效的血浆ALD SiO2

ALD氧化铝扫描电镜

远程血浆ALD Al 80海里2O3电影与长宽比2.5毫米宽的壕沟~ 10,沉积FlexAL


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Ionfab IBE系统

FlexAL原子层沉积(ALD)系统提供了一个广泛的高质量的血浆ALD和优化热退化过程最大的灵活性的前兆,过程气体和硬件配置在一个过程。

  • 射频偏压电极选项用于控制电影的属性

  • 行业标准盒式磁带处理更高的吞吐量

  • 最大的灵活性在前体的选择、过程气体,硬件特性和选项

  • 优化维护低损、高质量的基质

  • 低温使高质量的热敏表面沉积

离子束沉积(IBD)解决方案

原子层蚀刻(ALE)是一种先进的腐蚀技术,允许优秀的深度控制浅特性。作为设备特征尺寸进一步减少,啤酒还需进一步实现最佳性能所需的精度。

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bob综合app官网登录应用离子束蚀刻


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