在等离子体处理方面有独特的经验

通过为大批量生产(HVM)或研发设计的系统，我们为您的实验室或Fab提供所需的硬件和工艺解决方案。我们的等离子体处理技术为蚀刻、沉积和材料生长提供了广泛的先进能力。在我们的库中有超过8000个配方，我们提供工艺开发和支持，根据客户的需求定制，使他们能够实现正确的拥有成本，高晶圆良率和快速、高性能的加工。

我们提供:

等离子体蚀刻与沉积
离子束蚀刻与沉积
原子层蚀刻与沉积

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等离子体蚀刻与沉积

等离子体工艺是制造先进微电子技术的关键。我们的等离子体工艺提供了可靠的实现所需的器件特性。我们的多功能等离子蚀刻和沉积工具提供:

蚀刻和沉积各种各样的薄膜
低损伤和精确的深度和厚度控制
在很宽的温度范围内处理

等离子体刻蚀

反应性离子蚀刻(RIE）
反应性离子蚀刻-等离子体增强(RIE-PE）
电感耦合等离子体蚀刻(ICP）
深硅蚀刻(DSiE）

等离子体沉积

等离子体增强化学气相沉积(PECVD）
感应耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD）
化学气相沉积(化学汽相淀积）

介质金属等离子体RIE蚀刻

介质金属等离子体RIE蚀刻

电感耦合等离子体化学气相沉积

化学气相沉积

离子束蚀刻与沉积

离子束刻蚀和离子束沉积提供薄膜质量和蚀刻控制与优良的均匀性。它是理想的广泛应用，如MRAM，激光棒facet和薄膜磁头。bob综合app官网登录离子束技术使研究人员和大批量制造商能够生产出密度高、表面光滑的薄膜。

离子束腐蚀电子

离子束腐蚀电子

原子层蚀刻与沉积

许多先进的设备在制造过程中需要原子尺度的精度，为了提供所需的精度，我们提供了先进的原子层蚀刻和沉积加工技术。这种精确操纵和控制物质的能力，使下一代半导体器件的研发和生产成为可能。

原子尺度蚀刻

这种技术被设计成允许一次精确地去除一个原子层;传统蚀刻无法达到的控制水平。

原子尺度沉积

该技术为先进应用提供了精确控制的薄膜沉积，每个工艺周期沉积一个原子层，它是自限制的，并使保形涂层成为高纵横比结构。bob综合app官网登录

低损伤介质和金属的原子层沉积

电介质和金属的原子层沉积

25nm宽的硅沟槽被ALE蚀刻到110nm深度

25nm宽的硅沟槽被ALE蚀刻到110nm深度

等离子体技术

反应离子刻蚀

ICPCVD

原子层沉积

RIE-PE

纳米级的增长

原子层蚀刻

ICP刻蚀

离子束刻蚀

原子尺度处理

PECVD

离子束沉积

问我们的专家

如对我们的等离子加工技术有任何疑问，或想了解更多有关我们技术的信息，请与我们的专家联系plasma-experts@oxinst.com．我们很乐意帮忙。

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