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扩张

化学气相沉积(CVD)

CVD是一种成熟的技术,可以沉积各种不同组成和厚度的薄膜,直至单层原子。

CVD系统室的深度图

强调

  • 衬底直接放置在可加热至1200˚C的电极上
  • 气体通过上电极的“喷头”进气口注入工艺室
  • 用于二维材料MOCVD、ZnO纳米线CVD等新工艺的固体/液体前驱体输送系统。
  • 自动加载锁定,将样品直接转移到热台上,节省加热和冷却时间。
  • 较低温度沉积或等离子体辅助转化或官能化以及腔室清洁等离子体增强选项。
  • 在同一室中提供广泛的工艺
  • Plasmapro®100nano.是一种高温CVD/PECVD系统,专门用于高质量沉积纳米结构材料和硅基薄膜。
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  • 高达1200˚C表温度
  • 直接和远程等离子体增强选项
  • 高达5托的操作压力(可能更高)
  • 带有终点控制的干式等离子体清洗过程,消除或减少了物理/化学室清洗的需要
  • 多个加热/冷却液体/固体前驱体输送系统,外加12条气体输送管线。
  • 提供广泛的材料沉积,包括:
    • Si基PECVD/ICP CVD工艺与高温CVD工艺在同一腔室中进行
    • 1D材料生长如碳纳米管,ZnO纳米线和Si纳米线
    • 2D材料生长如石墨烯,HBN,MOS2/ WS2和其他过渡金属二卤族化合物(TMDCs)
操作中的CVD过程图像,远程等离子体
PlasmaPro 100纳米
700°C表 800°C表 1200°C表格
薄膜过程 SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polyi * SiOx,Sinx,AsiC,Asi,μC-Si,Polysi SiOx,Sinx,AsiC,Asi,μC-Si,Polysi
1D纳米材料 多壁碳纳米管,硅,锗,氧化锌 mwnts,swnts,si,ge,zno nws mwnts,swnts,si,ge,zno nws
二维纳米材料 NCG,垂直的石墨烯 NCG,垂直石墨烯,BN, MoS2 CVD石墨烯
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化学汽相淀积系统