CVD是一种成熟的技术,可以沉积各种不同组成和厚度的薄膜,直至单层原子。
PlasmaPro 100纳米 |
700°C表 | 800°C表 | 1200°C表格 |
薄膜过程 | SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polyi * | SiOx,Sinx,AsiC,Asi,μC-Si,Polysi | SiOx,Sinx,AsiC,Asi,μC-Si,Polysi |
1D纳米材料 | 多壁碳纳米管,硅,锗,氧化锌 | mwnts,swnts,si,ge,zno nws | mwnts,swnts,si,ge,zno nws |
二维纳米材料 | 纳 | NCG,垂直的石墨烯 | NCG,垂直石墨烯,BN, MoS2 CVD石墨烯 |