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深反应离子硅蚀刻(DRIE)，或深硅蚀刻(DSiE)，是一种高度各向异性的蚀刻工艺，用于在晶片/衬底上创建深、陡边孔和沟槽，通常具有高纵横比。
的estrelas.®DSiE系统提供了最终的工艺灵活性，为微电子机械系统(MEMS)、先进封装和纳米技术市场的多个工艺解决方案提供服务。
用于在制造微电机械系统（MEMS）的制造中实现深蚀刻的两种技术是博世和低温过程。多年来的系统和过程开发允许技术前进，但每个技术的基本方面都保持不变：
博世工艺使用氟基等离子体化学来蚀刻硅，结合氟碳等离子体工艺来提供侧壁钝化和提高蚀刻掩膜的选择性。一个完整的蚀刻过程在蚀刻和沉积步骤之间循环多次，以实现深、垂直的蚀刻剖面。它依赖于源气体在到达晶圆之前在高密度等离子体区域被分解。
该技术不能在反应离子蚀刻系统（RIE）中进行，因为这些具有离子的错误平衡与自由基物质。该平衡可以在高密度等离子体系统（HDP）中实现。最广泛使用的HDP形式使用电感耦合以产生高密度等离子体区域，所以被称为“电感耦合等离子体”（ICP）。
高速度，受控扇贝e.g.微流体（200mm深度），孔（> 400毫米深度）
使用博世工艺制作的微针
正如博世工艺一样，该技术也使用SF6来为硅蚀刻提供氟基团。硅以SIF4的形式除去，这是挥发性的。
主要的区别在于侧壁钝化和掩膜保护的机理。这一过程不是使用氟碳聚合物，而是依赖于在侧壁上形成一层氧化物/氟化物(SiOxFy)(厚度约为10-20nm)，这是在使用的低温下形成的，该层可抑制氟自由基对底层硅层的攻击。
低温和低偏置操作还有助于降低掩模材料的蚀刻速率，这通常是光致抗蚀剂或二氧化硅。
使用低温工艺制作的微型模具
如果波导腐蚀
光滑的侧壁低温DSE（无扇贝）。
礼貌Tu Twente.
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