牛津仪器集团的一部分bob平台下载手机版
扩大

深层反应离子蚀刻(DRIE)

硅的深层反应离子蚀刻(DRIE),或深层硅蚀刻(DSiE),是一种高度各向异性的蚀刻工艺,用于在晶圆/衬底中产生深而陡峭的孔和沟槽,通常具有高纵横比。

Estrelas®DSiE系统提供了最终的工艺灵活性,为微电子机械系统(MEMS)、先进包装和纳米技术市场提供多种工艺解决方案。


DSiE流程

在微电子机械系统(MEMS)的制造中,用于实现深蚀刻的两种技术是博世和深冷工艺。多年来,系统和流程的发展使技术不断进步,但每个技术的基本方面都保持不变:

  • 博世的过程可实现高蚀刻速率、选择性和各向异性,通常用于>1 μ m特征和>10 μ m深度
  • 低温深硅蚀刻(Cryo-DSiE)通常用于光滑侧壁和/或纳米蚀刻或微模具等应用中的锥形型材。bob综合app官网登录
  • 混合进程是浅层、低侧面精细特征的一种选择。

过程的好处

Deep Silicon蚀刻旨在制造所有Si蚀刻设备,提供:

  • 过程的灵活性
  • 高腐蚀速率
  • 对光刻胶(PR)和氧化物具有高选择性
  • 高纵横比
  • 光滑的轮胎
  • 最大限度地减少掩模缺口
  • SOI能力
  • Si变薄和高Si暴露
  • SiO能力2腐蚀
索取更多信息 下载手册

博世的过程

博世深硅蚀刻

典型应用包括MEbob综合app官网登录MS、微流体和医疗

博世工艺使用氟基等离子体化学蚀刻硅,结合氟碳等离子体工艺提供侧壁钝化和改进的选择性蚀刻掩模。一个完整的蚀刻过程在蚀刻和沉积步骤之间循环多次,以实现深度,垂直蚀刻轮廓。它依赖于源气体在到达晶圆之前在高密度等离子体区域被分解。

这种技术不能在反应性离子蚀刻系统(RIE)中进行,因为这些系统对自由基的离子平衡是错误的。这种平衡可以在高密度等离子体系统(HDP)中实现。最广泛使用的HDP形式使用电感耦合来产生高密度等离子体区域,因此被称为“电感耦合等离子体”(ICP)。


DSiE博世工艺阶段

深度硅蚀刻博世工艺
高速率受控扇贝,例如微流体(200毫米深度),过孔(> 400毫米深度)

高速率,受控扇贝,例如微流体(200微米深度),过孔(> 400微米深度)

深度硅蚀刻博世工艺

使用博世工艺制造的微针

低温过程

DSiE冷冻过程

典型应用包括MEbob综合app官网登录MS、光子学和生物医学

与Bosch工艺一样,该技术也使用SF6为硅蚀刻提供氟自由基。硅以SiF4的形式被除去,SiF4是易挥发的。

主要区别在于侧壁钝化和掩模保护的机制。该工艺不是使用氟碳聚合物,而是依赖于在侧壁上形成氧化物/氟化物(SiOxFy)的阻挡层(大约10-20nm厚),这是在使用的低温下形成的,该层可以抑制氟自由基对底层Si层的攻击。

低温和低偏压操作还有助于降低掩模材料的蚀刻率,掩模材料通常是光刻胶或二氧化硅。


微模具创建使用冷冻过程

微模具创建使用冷冻过程

硅波导蚀刻

硅波导蚀刻

光滑的侧壁低温DSE(无扇贝)。TU Twente

光滑的侧壁低温DSE(无扇贝)。
TU Twente

PlasmaPro 100 Estrelas DSiE

工艺灵活性|等离子体

PlasmaPro 100 Estrelas为深硅蚀刻(DSiE)应用提供了全面的灵活性,应用于微电子机械系统(MEMS),先进封装和纳米技术市场。bob综合app官网登录

  • 机械或静电夹紧
  • 改进的再现性
  • 高宽高比进程
  • 增加平均清洗间隔时间(MTBC)
请求报价
下载手册
PlasmaPro 100 Estrelas集群的深层硅蚀刻

相关产品