电感耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD）

在ICP源中产生高密度等离子体意味着该技术可在低温下以低损伤沉积高质量的介电薄膜。低温沉积意味着可以成功地制备温度敏感薄膜和器件。

我们的ICP CVD工艺模块设计用于生产高
低沉积时高密度等离子体的高质量薄膜
压力和温度。

白皮书

ICPCVD（ICP-CVD）系统技术示意图

集锦

独立控制离子能量和离子电流密度
典型工艺压力:1- 10mtorr
等离子体密度：>10¹¹厘米^－3
与衬底接触的等离子体
沉积过程中的低能离子流
离子电流（等离子体密度）取决于ICP功率
用于纯电感等离子体的静电屏
ICP是全自动的(2个射频自动匹配单元)

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优质低损伤薄膜，可在低温下使用。
典型的沉积材料包括SiO₂，Si_3.N₄以及衬底温度低至5ºC时的SiON、Si和SiC
ICP源尺寸可达65mm、180mm、300mm，提供高达200mm晶圆的工艺均匀性
可用于5ºC至400ºC温度范围的电极
专利的ICPCVD配气技术
带末端的现场室清洗

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 100
电极尺寸	240毫米
晶片大小	高达200毫米
加载	打开负载	负载锁定或盒式
基板	50毫米晶片	高达200mm的载体可用于多晶片或小片
掺杂气体	没有	可提供各种掺杂剂，包括PH₃， B₂H₆， GeH₄
液体前体	没有	对
MFC控制气体管线	8或12线煤气箱可用
晶圆级温度范围	20°C到400°C	0°C到400°C
原位等离子体清洗	对

我们开发的ICPCVD清洗制度是为了在机械清洗之间提供可重复沉积和低颗粒

清洗时间缩短
通过可选的隔行清洁提高利用率
精确的端点，减少腔室元件的过腐蚀，提高其使用寿命

图显示了各种ICPCVD等离子体清洗的终点比较

高速率清洁工艺特点

系统利用> 70%
旧金山₆/ N₂O混合气体
改进的端点控制
等离子清洗可提高光强度，提高端点信号/分辨率
实际等离子体清洁时间取决于薄膜材料、薄膜质量和薄膜厚度

交错清洁模式

高利用率
沉积速率重复性高
每片晶圆后保持清洁，添加的颗粒数较低
>机械清洗间隔50微米

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