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通过在高真空室中将带电粒子（离子）引导在基板处的带电粒子（离子）束来实现离子束蚀刻（或用惰性气体研磨）。它能够实现离子的高度定向梁 - 其空间电荷通过来自中和的电子中和 - 以控制蚀刻的侧壁轮廓以及纳米透明理由中的径向均匀性优化和特征成形，特别是使用倾斜角与轴旋转的梁。用于轴对称。
另一方面，倾斜样品(不旋转)的独特能力可以改变离子束的冲击方向，从而创造出倾斜的特征。在这两种情况下，蚀刻过程可以通过化学(RIBE和CAIBE)辅助，使用活性气体来提高蚀刻速率和掩膜的选择性。
| Ionfab |
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| 离子刻蚀源 | 150mm或300mm，分别为4“和8” |
| 蚀刻区 | 直径可达200mm或150mm的正方形 |
| 压换速度 | 高达20rpm. |
| 压纸倾斜角度 | 光束与基材表面法线之间的0º到75º |
| 压力 | 嵌入式加热器高达300ºC PID控制 |
| 压散冷却 | 流体冷却剂5ºC至60ºC，带有He或Ar背面气体，用于衬底冷却(高达50Torr) |
离子束蚀刻可以用两种方法:使用惰性离子进行物理蚀刻或铣削过程，或使用活性离子物种的RIBE/CAIBE增加与化学/活性组分的差异材料蚀刻速率，并增强选择性。
在反应离子束蚀刻(RIBE)和化学辅助离子束蚀刻(CAIBE)模式中，加入了反应物质(CHF)3.，SF.6N2阿,2等）到源（Ribe）或气环（枢塞）以增加蚀刻产品的波动性和对掩模材料的选择性。
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