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PECVD是一种成熟的沉积各种薄膜的技术。许多类型的器件需要PECVD来创建高质量的钝化或高密度掩模。
我们的PECVD系统可控制薄膜的折射率、应力、电特性和湿化学腐蚀速率等特性，可生产出均匀性好、速率高的薄膜。我们的等离子清洗过程与终点控制消除或减少物理/化学室清洗的需要。
| PlasmaPro 80 | PlasmaPro 800 | PlasmaPro 100 | |
| 电极尺寸 | 240毫米 | 460毫米 | 240毫米 |
| 基板 | 直径高达240mm，多片晶片或小片 | 直径可达460mm，多片或小片 | 直径可达200毫米，可用于多片或小片的载体选择 |
| 掺杂气体 | 没有 | 没有 | 可提供各种掺杂剂，包括PH3、3B2 H6、GeH4 |
| 液体前驱 | 没有 | 是（TEOS） | 没有 |
| MFC控制气体管线 | 4、8或12线煤气箱可用 | ||
| RF开关应力控制 | 对 | ||
| 晶圆级温度范围 | 20°C到400°C | 标准20°C至400°C，可选最高1200°C | 标准20°C至400°C |
| 原位等离子清洗 | 是的。端点可确保最佳清洁时间 | ||
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