活性离子蚀刻(RIE)

反应离子蚀刻(RIE)是一种简单的操作和经济的解决方案，一般等离子体蚀刻。单个射频等离子体源决定了离子密度和能量。

我们的RIE模块提供各向异性干法蚀刻
广泛的过程范围。

白皮书

网络研讨会

集锦

蚀刻工艺的多种选择：

化学蚀刻-各向同性，速度快
离子诱导蚀刻-各向异性，介质速率
物理蚀刻-各向异性，慢速
在半导体去bob综合app官网登录加工和失效分析中的广泛应用

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RIE特点:

固态射频发生器和紧密耦合匹配网络，实现快速一致的蚀刻
全面积工艺气体入口淋浴头，实现均匀气体分布
温度为-150ºC至+400ºC的电极
泵送能力高，工艺压力窗口宽
带He背面冷却的晶圆夹紧可用于最佳晶圆温度控制

可蚀刻多种材料，包括：

介电材料_2.罪_x等)。
硅基材料(Si, a-Si, polysi)
III-V材料（GaAs、InP、GaN等）
溅射金属（金、铂、钛、钽、钨等）
类金刚石碳（DLC）

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 800	PlasmaPro 100
电极的大小	240毫米	460毫米	240毫米
加载	空载		装入锁定或盒式磁带
基质	高达240毫米	高达460毫米	200mm带载体可用于多晶片或小片
MFC控制的输气管线	8或12管路气箱可用
晶片级温度范围	-150°C到400°C	10°C到80°C	-150°C到400°C
他选择了背面冷却	是的	不	是的
ICP期权	是的	不	是的
聚焦等离子体	是的		不

我们有幸与伦敦大学学院博士后Oscar Kennedy博士和伦敦大学学院高级研究员Wing Ng博士讨论了他们最新的研究项目，以及他们如何使用我们的PlasmaPro®80 RIE系统。

Oscar Kennedy博士使用PlasmaPro RIE系统通过蚀刻超导NbN薄膜来创建超导电路，而Wing Ng博士使用RIE系统精确地绘制出50 nm的间隙，在一对波导之间形成光滑的侧壁，用于芯片的光缓冲器。阅读案例研究了解更多。

PlasmaPro 100 RIE与UCL的案例研究

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RIE系统