活性离子刻蚀-等离子体增强(RIE-PE)

活性离子蚀刻等离子体增强RIE-PE)将两种简单的等离子体产生技术结合在一个工具上。

使用RIE，可以实现更定向的蚀刻和更快的速率，因为样品所在的表面有一个加速的电压，从等离子体中吸引离子。PE无加速电压，发生更多的各向同性腐蚀。

白皮书

RIE-PE系统技术示意图

突出了

衬底电极冷却
上、下电极射频驱动(13.56 MHz)
自动切换
淋浴器气体入口(在上电极)
参数:气体流量、压力、射频功率

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固态射频发生器和紧密耦合匹配网络用于快速和一致的蚀刻
全区域工艺进气喷头，气体均匀分布
电极温度从-150ºC到400ºC
高泵送能力提供宽的过程压力窗口
He背面冷却夹紧晶圆，可实现最佳晶圆温度控制

	PlasmaPro 80
电极的大小	240毫米
加载	打开负载
基板	看到产品宣传册
MFC控制管线	4、8或12线气箱可供选择
晶圆级温度范围	-150ºC - 400ºC
背部冷却选项	是的
ICP选项	是的
集中等离子体	是的

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RIE-PE系统