TEM栅格量子箔R2/4上的悬浮单层石墨烯

这种单层石墨烯由化学气相沉积法生长，并转移到量子箔透射电镜网格上。石墨烯被悬浮(没有衬底)超过2微米的孔。石墨烯薄膜生长方法:CVD合成转移方法:清洁转移质量控制:光学显微镜、拉曼、SEM和TEM批量检查尺寸:3mm (TEM网格直径)外观(颜色):透明透明度:97%石墨烯层数:1层覆盖率:95%厚度(理论):0.345nm FET在Al2O3上的迁移率:QUANTIFOIL类型:QUANTIFOIL®R 2/4孔尺寸:2μm孔间空间:4μm TEM栅格衬底3.05mm直径Au涂层300目