半导体上ccd替换技术- Andor - Oxford Instrumentsbob平台下载手机版 - bob网app,bob综合app手机客户端,bob综合app官网登录

经过验证的安多尔OEM解决方案

安铎为全球范围内的OEM合作伙伴提供一系列高灵敏度、高质量的sCMOS和CCD科学成像和光谱相机解决方案，并保持可靠、支持和适应性的良好声誉OEM供应商，具有高批量生产能力。

下面的表1显示了Andor潜在的“On-Semiconductor CCD替代”相机型号的选择:

相机模型	技术	数组大小		像素	像素大小(µm)	传感器对角线(毫米)	量化宽松马克斯(%)	风冷温度(°C)
		X	Y
Zyla 4.2	sCMOS	2048	2048	4.2	6.5	18.8	82	0
Zyla 5.5	sCMOS	2560	2160	4.2	6.5	21.8	64	0
Neo 5.5	sCMOS	2560	2160	5.5	6.5	21.8	64	-30年
4.2 Marana b-11	sCMOS (BSI)	2048	2048	5.5	11	32	95	-25年
Marana 4.2 b - 6	sCMOS (BSI)	2048	2048	4.2	6.5	18.8	95	-25年
巴洛17 f	sCMOS	1024	1024	16.9	12	70	61	－10
iKon-M 934	CCD (BSI)	1024	1024	1.05	13	18.8	95	-80年
iKon-M 912	CCD (BSI)	512	512	0.26	24	17.4	95	-80年
iKon-M 936	CCD (BSI)	2048	2048	4.2	13.5	39.1	95	-80年
iDus 412	CCD (BSI)	512	512	0.26	24	17.4	95	-55年
iVac	CCD	1650	200	0.33	16	26.6	58	-60年

表1 - Andor成像sCMOS和CCD模型的选择及其关键性能参数，其中许多为OEM仪器合作伙伴大批量生产和提供(BSI =背面照明95% QE max)。

sCMOS技术

Andor Scientific CMOS (sCMOS)成像相机可为微光发光/荧光检测提供优越的价格/性能替代技术。安铎是一个完善的批量OEM供应商，每年发货数千个高质量的sCMOS相机。zla和Neo sCMOS相机型号代表了特别有吸引力的OEM解决方案，提供了出色的价格/性能平衡。

Zyla sCMOS

550万和420万像素
TE冷却到0°C
1 .电子阅读噪音
高达82%的量化宽松

规范

Neo sCMOS

5像素
真空TE冷却至-30°C
1 .电子阅读噪音
高达64% QE

规范

尽管sCMOS相机在高帧率条件下表现出色，实现了世界级的低读噪声，即使具有< 20毫秒的高分辨率传感器读出时间，该技术也可以很容易地用于低光化学发光信号的长曝光量化。由于sCMOS的超低读噪声为~ 1电子，因此即使在暴露数分钟的情况下，整体的噪声下限(即读噪声和暗噪声的组合)仍然低于冷却的On-Semiconductor CCD传感器。

图1 -噪音下限(阅读噪音和大量暗噪音的组合)与曝光时间的关系图

CCD技术

Andor深冷CCD相机提供了在任何曝光时间内抑制暗噪声的终极，结合背光95% QE光子收集。iKon-M和iKon-L真空冷却成像ccd是极低光发光检测的绝佳解决方案。

圣像系列

高达420万像素
大视场
TE冷却至-80°C(空气)
95%的量化宽松政策

规范

iVac CCD

1650或2000像素的光谱分辨率
TE冷却至-60°C(空气)
小巧轻便
95%量化宽松/近红外增强选项

规范

超紧凑的iVac型号是专门为光谱OEM应用设计的，考虑到性能和可靠性。bob综合app官网登录高近红外灵敏度、高分辨率15和16 μm像素传感器格式的组合为广泛的研究工作台、工业过程控制或光谱辅助医疗诊断仪器提供了最佳平台。

和或的UltraVac^TM专有的真空传感器外壳不仅能够实现市场领先的深度冷却和噪声抑制，而且它们还代表了年复一年免维护的性能寿命的最终，从而最大限度地减少您的仪器的服务需求。

图2 -噪音下限(阅读噪音和大量暗噪音的组合)与曝光时间的关系图

半导体传感器和推荐更换型号

下表总结了半导体上CCD传感器的选择和它们的关键成像特性，如阵列格式和像素大小。它还展示了Apogee Alta模型，其中包含了这些传感器(最近停产)。最后，本文提出了一些替代模型的建议。然而，这只是一个指南，我们完全推荐更深入的讨论我们的OEM解决方案专家之一，以更好地评估您的技术和商业需求

On-Semi CCD	阿尔塔模型	数组大小		像素	像素大小(µm)	传感器对角线(毫米)	建议更换模型
		X	Y
kaf - 8300	F8300	3326	2504	8.3	5.4	23.2	Zyla 5.5，Neo 5.5
kaf - 3200	F32	2184	1472	3.2	6.8	18.1	Zyla 4.2 +，Zyla 5.5，Neo 5.5
kaf - 1603	F2	1536	1024	1．6	9	16.6	Zyla 4.2 +
kaf - 1001	F6	1024	1024	1	24	34.8	Zyla 5.5，Neo 5.5
kaf - 0402	F1	768	512	0.4	9	8.3	Zyla 4.2 +
kaf - 0261	F260	512	512	0.3	20.	14.5	iKon-M 912412年,iDus
kaf - 4022	F4000	2048	2048	4.2	7.4	21.4	Zyla 4.2 +，Zyla 5.5
kaf - 16801	F16	4096	4096	16.8	9	52.1	iKon-L，巴洛17 f
kaf - 16803	F16M	4096	4096	16.8	9	52.1	iKon-L，巴洛17 f
kaf - 0900	F9000	3056	3056	9.3	12	51.9	iKon-L，巴洛17 f

表2 -半导体上CCD传感器模型及其关键成像参数的选择，以及建议的潜在Andor替换模型(仅初始指导)。

半导体上ccd的替换技术