扭角如何影响MoS₂/石墨烯异质结构的导电性?

所谓的范德华异质结构，是由不同的二维材料为下一代电子产品提供了巨大的机遇。各种异质结构性质已被证明强烈依赖于扭曲角(层的相对取向角)。

北京理工大学和中国科学院的研究人员使用导电AFM (CAFM)来测量MoS电流的变化₂/石墨烯异质结构作为相对扭转角的函数。高分辨率和高灵敏度的CAFM测量庇护研究密码S AFM用于确认由晶格失配所产生的moiré超晶格的预期1.18 nm周期。

在这项工作中，MoS中电导率的角度依赖关系₂研究了/石墨烯异质结。电流高灵敏度成像利用牛津仪器的Cypher S AFM进行的研究显bob平台下载手机版示，垂直电导率根据扭转角度的不同几乎有五倍的变化。研究结果为基于MoS的先进器件的设计提供了依据₂垂直/石墨烯。

仪器使用

零年代与ORCA导电AFM选项

技术使用

采用攻丝方式对地形图成像。低噪音的零年代能够非常精确地测量MoS₂域的高度。利用Asylum AFM软件的纳米操作能力对MoS进行旋转₂域以实现所需的相对于石墨烯基板的旋转角度。虽然大多数电导率测量是在500 nm扫描区域进行的，但作者也利用Cypher的高空间分辨率在25 nm扫描尺寸下捕获导电AFM图像。在这个尺度下，moiré超晶格的1.18 nm周期在当前图像中可见(参见期刊网站上的补充数据)。

引用:廖明，吴振中，杜良等。MoS上与扭转角有关的电导率₂垂直/石墨烯。Commun Nat。9， 4068(2018)。https://doi.org/10.1038/s41467-018-06555-w

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