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多年来，半导体物理学和器件电子学领域已经发展到包括化学、材料、计算机科学、工程的所有分支，甚至生物学。原子力显微镜在过去20年的许多进展中发挥了关键作用。原子力显微镜为这些复杂的设备和材料提供了广泛的技术。市场上没有任何仪器可以与调查人员使用MFP-3D和Cypher AFMs审问的材料和设备的广度相匹配。
向AFM专家咨询更多信息“三维异构集成格式的生物可降解电子系统”，张俊凯，张惠平，郭强，古俊杰，吴昌义，罗杰斯，放置板牙。30., 1704955(2018)。https://doi.org/10.1002/adma.201704955
“两种电AFM模式对移动载流子的局域特性:多谐EFM与sMIM，”雷磊，徐瑞杰，叶姝娟，王旭旭，徐k . Hussain, S. Hussain，李元俊，Y. Sugawara，谢磊，季伟，程铮，期刊。Commun。2025013(2018)。https://doi.org/10.1088/2399-6528/aaa85f
“多晶单层二硫化钼的多端mem晶体管”，V. K. Sangwan, H. S. Lee, H. Bergeron, I. Balla, M. E. Beck, K. S. Chen，和M. C. Hersam，自然554500(2018)。https://doi.org/10.1038/nature25747
“电化学应变显微镜探测形态诱导的离子吸收变化和有机电化学晶体管的性能，”R. Giridharagopal, L. Q. Flagg, J. S. Harrison, M. E. Ziffer, J. Onorato, C. K. Luscombe，和D. S. Ginger，Nat。板牙。16737(2017)。https://doi.org/10.1038/nmat4918
“纸基片上柔性多栅氧化物基电双层晶体管的多功能逻辑演示”，邵峰，冯鹏，万昌，万欣，杨勇，石勇，万强，放置电子。板牙。3., 1600509(2017)。https://doi.org/10.1002/aelm.201600509
“利用原子精度埋设给体结构确定扫描微波阻抗显微镜的分辨率”，D. A. Scrymgeour, A. Baca, K. Fishgrab, R. J. Simonson, M. Marshall, E. Bussmann, C. Y. Nakakura, M. Anderson，和S. Misra，达成。冲浪。科学。4231097(2017)。https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.06.261
“铁电隧道结的光控电阻和电控光电电压”，胡文杰，王振华，于伟，吴涛，Nat。通讯。710808(2016)。https://doi.org/10.1038/ncomms10808
HfO中的量子电导、读干扰和开关统计的分析2A. Ranjan, N. Raghavan, J. Molina, S. J. O'Shea, K. Shubhakar，和K. L. Pey，Microelectron。的完整性。64172(2016)。https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.112
“铜化学机械抛光过程中材料去除机理的研究”，王涛，何莹，吕旭明，达成。冲浪。科学。337130(2015)。https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.02.076
“利用铁电开关调制锗异质结构载流子密度”，P. Ponath, K. Fredrickson, a . B. Posadas, Y. Ren, X. Wu, R. K. Vasudevan, M. B. Okatan, S. Jesse, T. Aoki, M. R. McCartney, D. J. Smith, S. V. Kalinin, K. Lai, a . a . Demkov，Commun Nat。66067(2015)。https://doi.org/10.1038/ncomms7067
“用于高性能有机场效应晶体管的二维准独立式分子晶体”，何东，张勇，吴庆，徐荣，南辉，刘建军，姚建军，王志强，袁硕，李颖，石赟，王俊，倪铮，何磊，苗峰，宋峰，徐浩，渡边琨，谷口泰，王俊斌。徐和X.王，Commun Nat。55162(2014)。https://doi.org/10.1038/ncomms6162
用宏观排列半导体聚合物制造的高迁移率场效应晶体管。曾、潘焕华、罗忠昌、王明、l.a. Perez、S. N. Patel、应良、E. J. Kramer、t.q。Nguyen, G. C. Bazan和A. J. Heeger，放置板牙。262993(2014)。https://doi.org/10.1002/adma.201305084
“剥落的黑磷晶体管对环境降解的有效钝化”，J. D. Wood, S. A. Wells, D. Jariwala, k . s。陈、赵恩娥、v.k. Sangwan、刘x.l L. J. Lauhon、T. J. Marks及M. C. Hersam，Nano。146964(2014)。https://doi.org/10.1021/nl5032293
“柔性衬底上的低压自组装单分子层场效应晶体管”，T. Schmaltz, A. Y. Amin, A. Khassanov, T. Meyer-Friedrichsen, h . g。Steinrück, A. Magerl, J. J. Segura, K. Voïtchovsky, F. Stellacci, M. Halik，放置板牙。254511(2013)。https://doi.org/10.1002/adma.201301176
“利用纳米尺度热毛细流制备纯半导体单壁碳纳米管阵列，”s.h. Jin, s.n. Dunham, J. Song, X. Xie, J. Kim, C. Lu, A. Islam, F. Du, J. Kim, J. Felts, Y. Li, F. Xiong, M. A. Wahab, M. Menon, E. Cho, K. L. Grosse, D. J. Lee, H. u Chung, E. Pop, M. A. Alam, W. P. King, Y. Huang和J. A. Rogers，Nanotechnol Nat。8347(2013)。https://doi.org/10.1038/nnano.2013.56
“铁电场效应增强金属/铁电/半导体隧道结的电阻”，文铮，李春春，吴东，李安，明n，Nat。板牙。12617(2013)。https://doi.org/10.1038/nmat3649
“基于垂直氧化锌纳米线的应变门控压电晶体管”，周勇，韩伟。陈丽，林林，王晓霞，王胜，王宗礼，ACS Nano63760(2012)。https://doi.org/10.1021/nn301277m
“基于铁电隧道结的固态记忆”，A. Chanthbouala, A. Crassous, V. Garcia, K. Bouzehouane, S. Fusil, X. Moya, J. Allibe, B. Dlubak, J. Grollier, S. Xavier, C. Deranlot, A. mosha, R. Proksch, N. D. Mathur, M. Bibes, A. Barthélémy，Nanotechnol Nat。7101(2012)。https://doi.org/10.1038/nnano.2011.213
“单层金属氧化物半导体2B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti，和A. Kis, Nat。Nanotechnol。6147(2011)。https://doi.org/10.1038/nnano.2010.279
“在硅表面氧化界面产生二维电子气体”，J. W. Park, D. F. Bogorin, C. Cen, D. a . Felker, Y. Zhang, C. T. Nelson, C. W. Bark, C. M. Folkman, X. Q. Pan, M. S. Rzchowski, J. Levy, C. B. Eom，Commun Nat。194(2010)。https://doi.org/10.1038/ncomms1096
“高分辨率，高灵敏度无机抗菌剂，”J. Stowers和D. A. Keszler，Microelectron。Eng。86730(2009)。https://doi.org/10.1016/j.mee.2008.11.034
“用生物分子裁剪GaN半导体表面”，E. stephan, C. Larroque, F. J. G. Cuisinier, Z. Bálint，和C. Gergely，期刊。化学。B1128799(2008)。https://doi.org/10.1021/jp804112y
“一种可溶蒽噻酚的有机单晶场效应晶体管”，o.d. Jurchescu, S. Subramanian, R. J. Kline, S. D. Hudson, J. E. Anthony, T. N. Jackson和D. J. Gundlach，化学。板牙。20.6733(2008)。https://doi.org/10.1021/cm8021165
“用化学力显微镜寻找线宽粗糙度的起源”，J. T. Woodward, J. Hwang, V. M. Prabhu，和k . w。崔,纳米电子学表征与计量前沿(eds。d·g·塞勒、a·c·迪博尔德、r·麦克唐纳、c·m·Gamer、d·赫尔、r·p·科斯拉和e·m·塞库拉)，航会议论文集931413(2007)。https://doi.org/10.1063/1.2799409
“化学机械研磨法制备单晶硅基板的无缺陷制造”，周丽娟，H. Eda, J.清水，S.神谷，H.岩濑，S.木村，H.佐藤，CIRP安。Manuf抛光工艺。55313(2006)。https://doi.org/10.1016/s0007 - 8506 (07) 60424 - 7
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