工程纳米电子设备

典型CNT FET的“悬停通过”显微镜数据。（a）EFM（VSD = 20mV，VBG = 0V，VTIP = 5 V，高度= 20nm）。颜色量表显示了悬臂响应的阶段。（b）交替电流EFM（VSD = 100mV @ 63 kHz，vbg = 0v，VTIP = 2V，高度= 20nm）。颜色尺度显示悬臂响应的幅度。（c）SGM（VSD = 20mV，VBG = 0V，VTIP = 5V，高度= 20nm）。颜色尺度显示通过设备电流ΔISD的变化。（d）尖端调节的SGM（VSD = 20mV，VBG = 0V，VTIP = 5V，高度= 20nm）。颜色量表显示了悬臂基频率下电流的变化，即ΔISD，AC。数据由J. Prisbrey，J。Park，K。Blank，A。Moshar和E. Minot提供，“扫描工程纳米电子设备的扫描探针技术”，《庇护研究申请书》。