BTO薄膜上的PFM

在GaAs / Al0.3Ga0.7As异质结上生长的8 nm厚BTO层的压响应力显微镜相图，以形成受限量子阱。样品用直流偏置来创建如图所示的模式。未来的实验将使用极化BTO调制GaAs/Al0.3Ga0.7As/GaAs量子阱性能。在一个加密的原子力显微镜上拍摄的。扫描大小10µm。图片由匹兹堡大学杰里米·利维教授小组的冯碧和吉里拉吉·杰纳瓦利提供。