氧化铪薄膜的铁电响应特性研究

氧化铪(高频振荡器₂)作为一种高k介电材料已经存在于半导体器件中。最近的发展使它可以沉积成铁电薄膜，这是新一代利用铁电-硅结的器件的一种很有前途的材料。然而，表征其极弱的压电响应提出了传统的挑战压电响应显微镜(PFM)．

下载这篇新的应用笔记，“表征掺杂si的氧化铪薄膜中的铁电响应”，学习:

• 关于铁电HfO的特殊沉积条件₂薄膜
• Asylum独特的双交流共振跟踪(DART)技术如何在消除常见测量伪影的同时提高PFM测量的灵敏度
• 在铁电HfO中，PFM如何以纳米尺度分辨率表征压电响应(振幅和畴向)₂薄膜

(免费下载，庇护研究，原子力显微镜技术的领导者)