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纳米尺度时间相关介电击穿(nanoTDDB)

应用注
数据表

NanoTDDB能够以纳米级精度表征介电击穿木星XR AFMs．当通过导电AFM探头监测电流时，可应用恒定或斜坡偏差，最高可达±150 V。

  • 与传统探针站相比，AFM尖端的空间分辨率可以在更小的长度尺度上进行介电击穿(~20 nm)的局部测量
  • 从高分辨率图像中精确地选择测量点，或者可以绘制和分析点网格

    *nanoTDDB是可选的配件升级木星XR AFM

    在我们12月7日的网络研讨会“半导体介电材料的制备和表征”中，请参阅nanoTDDB的实际应用。

    特卖:即日起至12月31日全部售完AFM探针用于TDDB15折!在结账时输入优惠码nanoTDDB。


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