纳米级时间依赖性介电击穿（NanotddB）

NanoTDDB™使纳米级精度能够表征介电击穿。可以在通过导电AFM探针监测电流的同时施加恒定或升高的偏置，同时通过导电AFM探针监控电流(适用于所有MFP-3D模型，Origin除外。MFP-3D Infinity上的电压范围为±150v)。

• AFM探针的空间分辨率使介电击穿的局部测量(~20 nm)在更小的长度尺度比传统的探针站可能
• 精确地选择来自高分辨率图像的测量点，或者可以映射并分析点网格

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