快速，平滑蚀刻硅与SF₆:硫起作用

研究人员用含有不同比例六氟化硫(SF)的等离子体蚀刻硅(Si)₆)．高分辨率地形图像Cypher ES AFM显示增加SF₆由于表面吸附了硫原子，不仅刻蚀速度更快，而且表面更光滑。

含氟等离子体处理被广泛用于快速蚀刻硅，例如在微机电系统(MEMS)中创建高纵横比特征。其中，SF₆等离子体的蚀刻速度比其他等离子体快100倍，但原因还不清楚。

为了探索这一主题，休斯顿大学(美国)和三星电子(韩国)的研究人员用不同比例的三硫化氮(NF)蚀刻Si_3.)到旧金山₆在NF_3./科幻₆/氩等离子体。AFM测量表面粗糙度和结构表明，除了提高刻蚀速率，增加SF₆导致光滑的表面。进一步的实验表明，这两种效应都可以用吸附的硫原子作为催化剂来解释。

从这项研究中获得的加工见解可以改善一系列半导体和微电子应用中先进器件的制造。bob综合app官网登录

仪器使用

数码西文

技术使用

获得纳米尺度高度的地形图像开发模式与Cypher ES AFM．Cypher的低噪声地板和高空间分辨率确保了高精度的测量。Cypher的内置软件还对图像进行了分析，以确定均方根值表面粗糙度作为SF的函数₆百分比。

引用:阮志明，刘志强，等，硫在氟原子快速蚀刻硅表面形貌中的作用。j .休假。科学。抛光工艺。一个37， 061303(2019)。https://doi.org/10.1116/1.5125266

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