在SEM中映射半导体器件

随着半导体器件的尺寸不断减小以提高性能并利用制造技术的进步，有必要以不断提高的分辨率分析其结构和化学。通常，这需要使用TEM进行计量和故障分析。采用超高分辨率FEG-SEM，低kV成像和新的X-Max^®极端EDS检测器，我们证明了在扫描电镜中保留一些高分辨率分析的能力。这样可以更好地定位资源并提高分析的吞吐量。

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