Ultim.^®极端

em中EDS的最终空间分辨率和低能量性能。用优化的几何和传感器设计结合极端电子和无窗式结构，可提供比传统的大面积SDD更大的灵敏度高达15倍。

低kV的生物样本分析，具有轻质元素灵敏度
李X射线的检测和映射
在能量小于2kV的情况下工作，在大块样品中提供低于10nm的空间分辨率
亚1kV的材料表征
结合浸没光学元件，收集高达30kV的高灵敏度数据，没有妥协

Ultim Extreme Silicon漂移探测器是超高分辨率Feg-SEM应用的突破性解决方案，并提供超出传统微型和纳米分析的解决方案。bob综合app官网登录

Ultim Extreme是一个无窗100 mm²Ultim的版本，旨在最大限度地提高灵敏度和空间分辨率。在低kV和短工作距离的超高分辨率feg - sem中，它使用了激进的几何结构来优化成像和EDS性能。使用Ultim Extreme, EDS分辨率接近SEM。

Ultim.ATE SEM-EDS的空间分辨率
- FEG-SEM的子10nm元素表征
表面科学的敏感性
- 在SEM中的曲面表征
材料在最低kV下的鉴别
- 降至1kV材料表征
最快，最准确的纳米表征
- 快速收集，来自批量样本的实时数据处理
极端光元素灵敏度
- 锂，氮和氧等元素的新级别可检测性

生物科学解决方案材料科学解决方案

生物样品的解决方案

Ultim Extreme提供了对生物样本的最终元素检测，在适用于寿命科学SEM应用的低kV条件下实现快速，准确的数据收集。bob综合app官网登录工作距离和无窗屡获殊控的探测器设计非常短，与我们的优化电子产品和数据处理相结合，导致10-30倍的低能量X射线灵敏度较高。

用于生物应用的Ultim Extreme Detector演示：bob综合app官网登录

对包括氮的光元素的奇妙敏感性
与传统检测器相比，具有更高计数的快速数据收集
低kV分析减少/消除样品损坏和充电人工制品
高分辨率映射超微结构在染色和未染色的样本上，是3D SEM应用的理想选择bob综合app官网登录

100NM部分未染色的叶片组织在铝中，使用2.5kV成像15分钟。

金星的飞阱叶和腺体与Ultim Extreme Detector成像在5kV。分层EDS图显示了透明的氮信号以及差分锇和锌定位（左）。在应用于使用阵列断层扫描的若干部分收集的反向散射图像时，锇可以用作掩模（在中间图像中的黄色图像和右侧图像中的粉红色显示叶绿体的3D数据）。

了解更多关于生物的EDS 下载白皮书

材料科学解决方案

Ultim Extreme超高分辨率FEG-SEM突破性解决方案。这种独特的探测器首次实现了在极低kV(例如1-3kV)和极短的工作距离下的EDS数据采集，从而在客户用于分析纳米材料和表面的最高SEM分辨率的条件下提供元素分析。

最新的超高分辨率feg - sem为研究更小的纳米结构、界面和表面提供了新的能力。然而，在工作距离很短，kV很低，束电流很小的条件下，利用透镜内探测器的新电子信号对比，电流EDS不能提供支持元素特征。Ultim Extreme改变了这一点，它是专门设计来操作这个分析机制的:

独特的几何
- 旨在在更短的工作距离工作
- 为传统端口安装的EDS检测器设计了最高的实心角度-通常比Ultim Max 170的实心角度大5倍，传感器到样品的正常距离的一半
无窗操作
- 与任何其他大面积检测器相比，与任何其他大面积探测器相比，结合实线10-30倍的低能量X射线的灵敏度
新的探测器电子设备，用于使极低能量X射线的升高灵敏度，并在更高的计数下扩展低能量分析性能
与azteclive和它的tru-q集成^®低kV数据处理和分析的分析引擎
- 低kV重叠校正的Trumap优化

为了实现这种独特的几何形状，Ultim Extreme设计了非圆形的100毫米²传感器和无窗口配置已在X-Max中成功使用^N.100TLE优化TEM的灵敏度。此外，该探测器具有新的减少足迹电子陷阱配置，允许精确定量分析高达7kV束电压，并在更高能量下进行定性元素分析。

在SEM中观察到10nm以下的元素特征
x射线图分辨率接近SEM分辨率

例1:半导体器件

3kV智能手机CPU x射线图3万8千cps, 30分钟-样本和数据由MSSCorps提供。

示例2：SN成像标准

X射线映射在锡纳米球的2KV高分辨率成像标准，6,500cps，15分钟的采集时间。

实施例3：Ni-Base超合金

罚款Ni._3.（NBTI）γ“沉淀在合金718中，收集在1.5 kV，2,000cps 18分钟 -样本和数据由曼彻斯特大学提供。

使用Ultim Extreme用户可以表征表面污染物的组成和分布，并厚的几个原子。

通过SEM调查整合曲面的特征
仅在非常低的KV和短工作距离下使用透镜探测器可见表面结构
节省金钱和时间与Auger/XPS

示例：在1kV收集的X射线图，以表征使用镜头SE成像检测到的高端电子元件污染。

材料表征2kV或更低

充分集成EDS，非常低kV的电子显微镜有利于样品表征
- 增强信号对比度
- 用于聚合物和软涂料的样品损伤的减少
- 减少充电或达到充电平衡的条件

例如:将加速电压从10 kv降低到1.5kV，可以通过电子图像对比显示氧化粒子的分布。在相同条件下，x射线测图显示析出相为MnOB。地图采集时间15分钟。样本由JFE钢提供。

最快的纳米表征

高速采集
低kV光谱数据的实时数据处理
散装样品 - 简单的样品制备

例如:在3kV, 15000cps下采集22分钟的x射线量子图，以表征镍基高温合金(718合金)中的NbTi氮化物和Al氧化物纳米沉淀。样本和数据由曼彻斯特大学提供。

最准确的纳米表征

实时数据处理
无与伦比的低能谱质量和完整性
元件快速自动识别
低能量X射线线系列的峰值重叠校正

示例：低能量线的光谱处理以形成量子素，以表征NBTI氮化物和Al氧化物纳米沉淀物中的Ni底座超合金（合金718）

Ultim Extreme采用特殊的电子陷阱和无窗操作以实现所需的性能，以满足其目标应用。bob综合app官网登录其无窗操作可提供2-3倍的光元素的数量，并且可以检测到最高线的近1.5倍。与固体角度的改进相结合，与具有薄窗户的传统大面积SDD相比，提供了10-30倍的灵敏度升压。对于极低的能量线，通过使用为LI检测开发的极端电子器件，改善更大并且进一步增加。