半导体原子力显微镜(AFM)

晶片计量是一个至关重要的组成部分,成功的寻路和产量斜坡为现代半导体晶圆厂。临界尺寸的< 5纳米尖端技术,日益普及和半导体公司需要高重复性和再现性的测量,以确保适当的反馈在收益率学习流程。的木星XR和零年代牛津仪器庇护afm研bob平台下载手机版究提供NIST跟踪,闭环维度测量在X, Y, z专利超低噪声线性传感器(木星XR和数码年代提供< 1.5埃噪声在X和Y)提供准确和可重复的最小临界尺寸的测量。

超平面外延层在半导体制造很常见。数码年代和木星XR提供< 0.35埃分辨率在Z准确、可重复的测量在最平的外延层。阅读我们的白皮书“测量表面粗糙度与庇护研究木星XR原子力显微镜”为更多的信息。

自动检查外延硅晶粒结构
非均匀粒径通常可以观察到外延硅层,特别是在晶片边缘附近,可以有更大的加工条件的变化。在这里,一个自动程序用于检查一系列从晶片边缘点在不同的补偿。木星软件提供的灵活性在定义这些位置在任何时候在210毫米样品卡盘。②粗糙度的每个图像只有80 - 85点。

粗糙度测量磁盘介质衬底的超过15个小时的1000倍木星XR。Rq粗糙度仍然稳定在1%以内的极端repeatabiity木星庇护的专属XR成为可能blueDrive开发模式。

失效分析和产量的学习

失效分析(FA)和缺陷表征半导体行业的发展也在不断的进化。不再是它足够简单分析返回的产品。足总流程正在开发主动分析设备失败的一生。此外,缺陷和故障,发生在生产过程的不同阶段需要解决和毛圈回产生学习流的比以往任何时候都要快。一个超高分辨率,可重复的AFM提供最详细和可靠的可能看你的设备。AFM反馈电子失效分析和物理失效分析,以及摩擦学的机械和界面的分析设备。我们来看看下面的一些FA半导体技术,涉及AFM。

Nanoprobing,方法nanosharp钨探针测量集成电路的电特性和定位缺陷。这种类型的测量——通常执行的AFM纳米探针或SEM纳米探针——帮助半导体研究人员和工程师测试集成电路(IC)和其他材料在屈服坡道和失效分析过程。许多传统的技术上执行一个专用nanoprobing系统可以自动更成本有效地运行在一个高速度、超高分辨率AFM如木星XR或数字美国我们将看看下面几个专用的AFM技术:

看网络研讨会:“制造和分析半导体设备”

了解更多关于木星XR大样本AFM

看网络研讨会:“不仅仅是粗糙度:AFM技术薄膜分析”