最小化垂落

当不同的材料以不同的速度研磨时，切割是一种人工制品。当硬结构材料（铣削速度较慢）高于或位于软材料（铣削速度较快）内部时，这种情况最为普遍，但当存在表面形貌或空隙（如裂纹）时也会发生。在横截面上，限制会妨碍良好的分析，在TEM薄片制备中，厚度变化是灾难性的。

左：图中显示了铣削一个典型的半导体器件（由硅基体上方的金属（钨）组成）时，抑制的有害影响。在横截面上，限制会在硅中产生伪影，当试图将样品稀释为电子透明度时，这些伪影的存在将导致样品解体。
正确的：如何设备应该看起来，铣削文物是存在的，但只在Pt层，而不是设备。

通过优化铣削方向，可以最大限度地减少切削。这通常意味着改变样品的方向，使均匀层首先被磨掉，这将产生较少的限制。在这个例子中，它需要反转样品，使硅层在钨之前研磨。在薄板提升过程中，可以使用OmniProbe具有在腔内旋转样品的能力。然而，在OmniProbe尖端上旋转180°将不会使样品倒转，因为所有的操作器都以相对于样品的角度安装。这个挑战可以通过旋转附在铅笔(探针)上的便利贴(薄片)来可视化(不需要FIB)。

用OmniProbe显示样品旋转180°的离子束图像序列

为实现样品倒置，可计算角度组合（探头和台），以创建无通风创建平面图样品（旋转90°的样品）的显微镜特定配方，将该配方与OmniPivot（TEM网格支架，可旋转网格而无需直接处理网格）相结合，产生样品倒置。结果是一个高质量的样品与最小的铣削人工制品。OmniProbe和OmniPivot的组合意味着几乎可以创建任何方向样本。

与上述相同的半导体器件，但在铣削前倒置。硅是不含人工制品的，通过极端X射线探测器获得的高分辨率EDS图可以识别钨通孔底部的氮。