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离子束

我们的离子束蚀刻(IBE)和沉积(IBD)系统是高质量材料加工的热门选择。我们的系统有灵活的硬件选项,包括开放加载,单基板加载锁定和卡带到卡带。系统规格密切调整应用,使更快和可重复的过程结果。bob综合app官网登录

  • 多模式功能

  • 能够与其他等离子蚀刻和沉积工具聚类

  • 单片装入或集群处理晶片

  • 双光束配置

  • 极低的表面膜粗糙度

  • 无与伦比的批处理均匀性和工艺再现性

  • 精确的终点检测- SIMS,光学发射

  • 高品质薄膜,超低污染

  • 高吞吐量,减少占地面积,降低操作成本

  • 专利高速衬底支架(最高500转/分)

  • 非常精确的原位光学薄膜控制


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离子束技术通过提供单一工具和最大限度地提高系统利用率,提供了一种非常通用的蚀刻和沉积方法。离子束蚀刻提供了最大的灵活性和优良的均匀性。

我们的系统有灵活的硬件选项,包括开放加载,单基板加载锁定和卡带到卡带。系统规格密切调整应用,使更快和可重复的过程结果。bob综合app官网登录

关键好处

  • 高级研究应用的灵活配置bob综合app官网登录
  • 无与伦比的均匀性和生产过程的再现性
  • 灵活的晶圆处理能力-单片晶圆负载锁定或盒式到盒式机器人处理器

硬件特性

晶片大小 100毫米 200毫米
刻蚀RF离子源 15厘米 30厘米
基片转速 最高20转/分钟
基材倾斜角 -90°水平到+65°向下
滚筒温度 10°C至300°C冷水机或加热器配置

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  • 倾斜的腐蚀
  • 激光刻面
  • 磁阻随机存取存储器(MRAM)
  • 介质的电影
  • III-V光子蚀刻
  • 自旋电子学
  • 金属接触和履带
  • 超导体

离子束蚀刻模式

  • 离子束蚀刻(IBE) /离子束铣削
  • 活性离子束蚀刻(RIBE)
  • 化学辅助离子束蚀刻

需要更多关于Ionfab IBE的信息吗?

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离子束技术通过提供单一工具和最大限度地提高系统利用率,提供了一种非常通用的蚀刻和沉积方法。我们的离子束沉积产品能够产生高质量、致密和光滑表面的沉积膜。

我们的系统有灵活的硬件选项,包括开放加载,单基板加载锁定和卡带到卡带。系统规格密切调整应用,使更快和可重复的过程结果。bob综合app官网登录

关键好处

  • 高品质薄膜,超低污染
  • 高吞吐量,减少占地面积,最低的操作成本
  • 无与伦比的批处理均匀性和工艺再现性
  • 非常精确的光学薄膜厚度控制
  • 极低的表面膜粗糙度

硬件特性

晶片大小 100毫米 200毫米
沉积离子源 15厘米 15厘米
基片转速 最高20转/分钟
基材倾斜角 -90°水平到+65°向下
滚筒温度 10°C至300°C冷水机或加热器配置

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  • 激光刻面涂层(包括高反射和减反射)
  • 环形激光陀螺反射镜
  • x射线光学
  • ii - vi型红外传感器
  • 红外传感器(钒氧化物,II-VI)
  • 电信的过滤器

离子束沉积模式

  • 离子束溅射沉积(IBSD)
  • 离子辅助溅射沉积(IASD)
  • 活性离子束沉积(RIBD)

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离子标准室

紧凑的离子束蚀刻和沉积系统,设计用于灵活的研究和中试生产,配备多达两个(15厘米)离子源用于蚀刻或沉积。这使得它非常适合在高达200毫米的晶圆尺寸上沉积,并为高达100毫米的晶圆尺寸优化蚀刻工艺。

离子大室

具有基本相同的占地面积,但具有更大的工艺室,设计用于加工高达200毫米的晶圆,用于蚀刻和沉积。该系统配备了30厘米的蚀刻离子源,具有优异的蚀刻均匀性和卓越的工艺稳定性,是中试和大规模生产的绝佳选择。

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bob平台下载手机版牛津仪器致力于为全球客户提供全面、灵活、可靠的支持。我们在您系统的整个生命周期内提供优质的服务。

  • 远程诊断软件提供快速简便的故障诊断和解决方案。
  • 支持合同可用于适应预算和情况。
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