离子束技术通过提供单一工具和最大限度地提高系统利用率,提供了一种非常通用的蚀刻和沉积方法。离子束蚀刻提供了最大的灵活性和优良的均匀性。
我们的系统有灵活的硬件选项,包括开放加载,单基板加载锁定和卡带到卡带。系统规格密切调整应用,使更快和可重复的过程结果。bob综合app官网登录
晶片大小 | 100毫米 | 200毫米 | |||||||||
刻蚀RF离子源 | 15厘米 | 30厘米 | |||||||||
基片转速 | 最高20转/分钟 | ||||||||||
基材倾斜角 | -90°水平到+65°向下 | ||||||||||
滚筒温度 | 10°C至300°C冷水机或加热器配置 |
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联系我们离子束技术通过提供单一工具和最大限度地提高系统利用率,提供了一种非常通用的蚀刻和沉积方法。我们的离子束沉积产品能够产生高质量、致密和光滑表面的沉积膜。
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晶片大小 | 100毫米 | 200毫米 | |||||||||
沉积离子源 | 15厘米 | 15厘米 | |||||||||
基片转速 | 最高20转/分钟 | ||||||||||
基材倾斜角 | -90°水平到+65°向下 | ||||||||||
滚筒温度 | 10°C至300°C冷水机或加热器配置 |
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联系我们紧凑的离子束蚀刻和沉积系统,设计用于灵活的研究和中试生产,配备多达两个(15厘米)离子源用于蚀刻或沉积。这使得它非常适合在高达200毫米的晶圆尺寸上沉积,并为高达100毫米的晶圆尺寸优化蚀刻工艺。
具有基本相同的占地面积,但具有更大的工艺室,设计用于加工高达200毫米的晶圆,用于蚀刻和沉积。该系统配备了30厘米的蚀刻离子源,具有优异的蚀刻均匀性和卓越的工艺稳定性,是中试和大规模生产的绝佳选择。
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