铝镓氮化铝

氮化镓铝是一种在下一代RF设备中使用的重要性。AlGaN是一种硬质材料，可以用光致抗蚀剂或硬掩模使用干蚀刻电感耦合等离子体（ICP）和活性离子蚀刻(RIE)。

AlGaN / GaN异质结构的电子特性用于诸如HEMT的装置中的RF器件，也称为HFET。我们对HEMTS的加工解决方案重点是控制2°处引入最低缺陷的状态密度。

通常接通和关闭操作是指当在栅极处施加的电压为0V时，2DEG通道能够从源导电到漏极到漏极。2deg通道如下所示。

为了阻止电流从源极流向漏极，电子的集中必须在2DEG中局部中断。2DEG沟道是由GaN和AlGaN之间的带隙和极化差异造成的。此外，由于氮化镓的压电特性，两层界面上由于晶格失配而产生的机械变形会产生额外的极化。

为了在局部抑制2deg，流行的技术是凹陷栅极。因此，存在在肖特基栅极下方的耗尽区更靠近2deg并降低电子的浓度。还开发了其他技术以实现常关操作。

D模式中的2DEG形成AlGaN / GaN Hemts

来源:苏黎世联邦理工学院

工艺专业知识，证明优异的表面粗糙度，低损伤和优化的蚀刻率。

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各向异性曲线以竞争性蚀刻速率实现。

已经优化了过程，为晶体结构的最小损坏。该技术允许极其准确地控制蚀刻深度，具有优异的表面粗糙度甚至平滑效果。

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