DSiE技术或深度反应离子蚀刻(DRIE)将各向同性硅蚀刻和钝化步骤反复结合以获得各向异性剖面。利用高密度等离子体源和快速气体切换能力,该技术使您能够实现剖面垂直性,光滑的侧壁和高蚀刻率,并具有对掩蔽材料的高选择性。
从光滑的侧壁工艺到高速率腔蚀刻,从高宽高比工艺到锥形蚀刻,PlasmaPro 100 Estrelas的设计确保了在MEMS、先进封装和纳米技术方面的广泛应用,而无需改变腔体硬件。bob综合app官网登录
由于硬件设计能够在同一腔室中运行Bosch™和Cryo蚀刻技术,因此可以实现纳米和微观结构。
兼容50mm至200mm基材-确保您有能力开发可以使用相同的腔室硬件投入生产的设备
汽车比赛-流程灵活性
高流量mfc和相关发电机-高自由基密度
减少腔体积和高通量泵送-确保高气体导电性
速效紧密耦合mfc-快速控制(最初为ALD开发)
博世DSiE通常用于特征>1 μ m和深度>10 μ m
低温DSiE通常用于光滑侧壁和/或纳米蚀刻和温度敏感材料,因为它提供低温工艺(»-110°C)
参数 |
博世 |
低温 |
混合气体 |
率(μm / min) |
高 |
温和的 |
低 |
PR选择性 |
非常高的 |
高 |
低 |
配置文件 |
垂直 |
垂直还是倾斜 |
垂直还是倾斜 |
纵横比 |
非常高的 |
高 |
低 |
胎侧 |
扇贝 |
光滑的 |
光滑的 |
ARDE控制 |
是的 |
有限的 |
有限的 |
清洁 |
常规的 |
罕见的 |
常规的 |
Min. feature /nm |
≈300 |
≈10 |
30. |
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TEOS液位传感使用安装在TEOS罐上的超声波液位传感器实现液位传感
宽温度范围电极-重大的设计改进,以提高工艺性能