RF解决方案

宽带隙（WBG）设备是独特的，能够为许多现代设备技术提供RF性能。基站要求以高功率运行的快速切换设备，以提供消费者所需的数据传输量。能源创造，分散和收获的新方法对于增加人口的需求不断增长至关重要。诸如GaN HEMT的半导体技术用于改善电动汽车等绿色技术的能量使用和基站传输等通信应用。bob综合app官网登录

化合物半导体RF器件的方法

bob平台下载手机版牛津仪器具有广泛的加工设备，适用于复合半导体的RF器件。

我们的原子层沉积（ALD）过程提供了良好的GaN / AlGaN减少阈值电压移位的钝化，通过市场上最快的远程等离子体生产系统实现了：atomfab.。
我们的Gan蚀刻功率半导体器件的工艺经过优化以降低等离子体损坏并产生光滑的蚀刻轮廓
蚀刻速率可以仅为超低损坏和控制蚀刻的几nm / min，仅为10-30毫米algan.
SiC通过蚀刻凭借优异的侧壁质量实现高速

Atomfab ALD系统

AtomFab是我们最新的ALD系统技术创新，提供快速的速度，低损伤，低COO生产等离子ALD加工GaN Power和RF器件。

优异的薄膜均匀性
低位损坏
竞争团体

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