的眼镜蛇®ICP蚀刻源在低压下产生高密度的活性物质。基片直流偏压由射频发生器独立控制，允许根据工艺要求控制离子能量。
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE蚀刻采用高密度等离子体实现快速蚀刻和沉积速率。工艺模块提供优良的一致性，高吞吐量，高精度…
单晶片刻蚀技术的发展。在GaN, SiC和Sapphire等蚀刻材料方面拥有丰富的经验，我们的技术使拥有成本和收率成为可能。
PlasmaPro 80 ICP RIE是一种紧凑、占地面积小的系统，提供多功能的ICP蚀刻解决方案，方便开放加载。它易于站点和易于使用，没有妥协…
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