80年PlasmaPro ICPCVD

80年PlasmaPro ICPCVD

PlasmaPro 80 ICPCVD与操作员

PlasmaPro 80是一种紧凑，占地面积小的系统，提供多功能的蚀刻和沉积解决方案，方便开放加载。它易于选址和易于使用，在过程质量上没有妥协。开负载设计允许快速的晶圆加载和卸载，非常适合研究，原型和小批量生产。它使用优化的电极冷却和优秀的基板温度控制实现高性能工艺．

开式负载设计可实现晶圆的快速加载和卸载
卓越的蚀刻控制和速率确定
优异的晶圆温度均匀性
可达200mm晶圆片
拥有成本低
采用半S2/S8标准

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占用空间小-易于选址
优化电极冷却-基板温度控制
高导径向(轴对称)泵浦配置-保证增强的工艺均匀性和速率
增加了< 500ms的数据记录-室和工艺条件的可追溯性和历史
短背的涡轮泵-泵送速度快，基础压力好
对关键组件的访问明显容易-提高服务性和维护性
X20的控制系统-大大增加数据检索，提供更快、更可重复的匹配
通过前端软件进行故障和工具诊断—快速故障诊断
使用干涉测量法的激光端点探测-在反射表面上测量透明材料的蚀刻深度(例如Si上的氧化物)，或对非透明材料(如金属)进行反射测量，以确定层边界
用于大样品或批量工艺终点的光学发射光谱法-检测蚀刻副产物的变化或活性气体种类的消耗，以及腔室清洁终点

III-V腐蚀过程
硅博世和低温蚀刻工艺
类金刚石碳
(DLC)沉积
SiO₂和石英腐蚀
使用特殊配置的PlasmaPro FA工具，从封装芯片和模具蚀刻到完整的200mm晶圆蚀刻，进行失效分析干蚀刻去处理
高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅的光子学，电介质层，钝化和许多其他用途
用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和蚀刻

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