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发布日期 |
研究论文 |
作者和出版链接 |
二手系统/技术 |
bob综合app官网登录 |
2021年9月 |
o的效果2在原子层沉积中的血浆暴露时间的氧化物沉积 |
半导体 |
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2021年7月 |
血浆增强原子层Al的沉积2o3在石墨烯上使用单层HBN作为界面层 |
Atomfab Ald,,,,挠性 |
2D材料,光电子,NEMS |
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2021年4月 |
离子对等离子辅助原子层沉积过程中膜结合性和结晶度的影响2 |
半导体 |
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2021年2月 |
p-gan的选择性蚀刻0.25GA0.75n在Cl2/ar/o2用于制造正常gan hemts的ICP血浆 |
自由度(gan pe/rf) |
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2020年10月 |
通过自上而下的自下而上的方法创建常规阵列的定期ALN纳米结构 |
光电子,量子,半导体 |
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2020年8月 |
使用芳香族抑制剂分子的金属/介电选择性,面积选择性原子层沉积 |
半导体 |
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2020年4月 |
CL中的极性依赖性2基于GAN,Algan和Aln的等离子体蚀刻 |
光电子,电源设备,量子,RF设备 |
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2020年2月 |
低损失TIO的发展2波导 |
I. Hegeman,M。Dijkstra,F。B。Segerink,W。Lee和S. M. Garcia-Blanco |
光电子 |
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2019年12月 |
通过磁场重新定位调整高Q超导谐振器 |
Christoph W. Zollitsch,James O’Sullivan,Oscar Kennedy,Gavin Dold和John J. L. Morton |
量子 |
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2019年10月 |
高功率SI侧壁加热器,用于由沟槽辅助表面通道技术制造的流体应用bob综合app官网登录 |
H. Veltkamp,Y. Zhao,M。J。De Boer,R。G。P. Sanders,R。J。Wiegerink和J. C.Lötters |
浆质100埃特图拉斯(基于博世的Drie),离子ibe,,,,Plasmapro 80 PECVD |
微电动机械系统(MEMS) |
2018年5月 |
原子层蚀刻的高定义纳米印刷邮票制造 |
量子 |
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2018年3月 |
调整氧化物和氮化物的材料特性。在平面和3D底物地形上的等离子增强原子层沉积过程中的偏置 |
半导体 |
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2017年8月 |
氮化炮的原子层蚀刻(0001) |
自由度(gan pe/rf) |
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2015年2月 |
设计和制造悬浮的磷化磷化物波导,用于MEMS驱动的光缓冲 |
Ng Wing H.,Podoliak Nina,Horak Peter,Wu Jiang,Liu Huiyun,Stewart William J.和Kenyon Anthony J. |
光电子 |
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2010年12月 |
沉积Al的热和血浆辅助原子层的介电性能2o3薄膜 |
半导体,量子 |
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2008年2月 |
制造22 nm t-gates用于HEMT应用bob综合app官网登录 |
RF设备 |
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2006年10月 |
通过电感耦合等离子体沉积在室温下沉积的低氢气含氧于氮化硅 |
朝湖,哈立德·埃尔格德(Khaled Elgaid),克里斯·威尔金森(Chris Wilkinson)和Iain Thayne |
RF设备 |