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我们的客户的研究对技术进步做出了巨大贡献,这些进步对从新颖的光电学和量子技术到高级材料的许多学科产生了积极影响。

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我们客户已发表的研究

发布日期

研究论文

作者和出版链接

二手系统/技术

bob综合app官网登录

2021年9月

o的效果2在原子层沉积中的血浆暴露时间的氧化物沉积

HannoKröncke,Florian Maudet,Sourish Banerjee,JürgenAlbert,Sven Wiesner,Veeresh Deshpande和Catherine Dubourdieu

挠性

半导体

2021年7月

血浆增强原子层Al的沉积2o3在石墨烯上使用单层HBN作为界面层

BárbaraCanto,Martin Otto,Michael J. Powell,Vitaliy Babenko,Aileen O'Mahony,Harm C. M. Knoops,Ravi S. S. S. S. S. Sundaram,Stephan Hofmann,Max C. Lemme,Daniel Neumaier

Atomfab Ald,,,,挠性

2D材料,光电子,NEMS

2021年4月

离子对等离子辅助原子层沉积过程中膜结合性和结晶度的影响2

Karsten Arts,Harvey The Pass,Marcel A. Verheijen,Riikka L. Puurunen,Wilhelmus M. M. Kessels,Harm C. M. Knoops

挠性

半导体

2021年2月

p-gan的选择性蚀刻0.25GA0.75n在Cl2/ar/o2用于制造正常gan hemts的ICP血浆

Andrzej Taube,MaciejKamiński,Marek Ekielski,Renata Kruszka,Joanna Jankowska-śliwińska,Pawełp.p.Michałowski,Joanna Zdunek和Anna Sgerling

Plasmalab 100 ICP 180

自由度(gan pe/rf)

2020年10月

通过自上而下的自下而上的方法创建常规阵列的定期ALN纳米结构

R.Armstrong,P-M.Coulon,P.Bozinakis,R.W.Martin,P.A.Shields

浆膜100 COBRA ICP蚀刻

光电子,量子,半导体

2020年8月

使用芳香族抑制剂分子的金属/介电选择性,面积选择性原子层沉积

Marc J. M. Merkx,Sander Vlaanderen,Tahsin Faraz,Marcel A. Verheijen,Wilhelmus M. M. Kessels和Adriaan J. M. Mackus

挠性

半导体

2020年4月

CL中的极性依赖性2基于GAN,Algan和Aln的等离子体蚀刻

马修·史密斯(Matthew D.

plasmapro 80 ICP蚀刻

光电子,电源设备,量子,RF设备

2020年2月

低损失TIO的发展2波导

I. Hegeman,M。Dijkstra,F。B。Segerink,W。Lee和S. M. Garcia-Blanco

plasmapro 100 rie

光电子

2019年12月

通过磁场重新定位调整高Q超导谐振器

Christoph W. Zollitsch,James O’Sullivan,Oscar Kennedy,Gavin Dold和John J. L. Morton

plasmapro 100 rie

量子

2019年10月

高功率SI侧壁加热器,用于由沟槽辅助表面通道技术制造的流体应用bob综合app官网登录

H. Veltkamp,Y. Zhao,M。J。De Boer,R。G。P. Sanders,R。J。Wiegerink和J. C.Lötters

浆质100埃特图拉斯(基于博世的Drie),离子ibe,,,,Plasmapro 80 PECVD

微电动机械系统(MEMS)

2018年5月

原子层蚀刻的高定义纳米印刷邮票制造

Sabbir A. Khan,Dmitry B. Suyatin,Jonas Sundqvist,Mariusz Graczyk,Marcel Junige,Christoffer Kauppinen,Anders Kvennefors,Maria Huffman和Ivanaximov

plasmalab 100啤酒

量子

2018年3月

调整氧化物和氮化物的材料特性。在平面和3D底物地形上的等离子增强原子层沉积过程中的偏置

Tahsin Faraz, Harm C. M. Knoops, Marcel A. Verheijen, Cristian A. A. van Helvoirt, Saurabh Karwal, Akhil Sharma, Vivek Beladiya, Adriana Szeghalmi, Dennis M. Hausmann, Jon Henri, Mariadriana Creatore, and Wilhelmus M. M. Kessels

挠性

半导体

2017年8月

氮化炮的原子层蚀刻(0001)

Christoffer Kauppinena,Sabbir Ahmed Khanc,Jonas Sundqvist,Dmitry B. Suyatin,Sami Suihkonen,Esko I. Kauppinen和Markku Sopanen

plasmalab 100啤酒

自由度(gan pe/rf)

2015年2月

设计和制造悬浮的磷化磷化物波导,用于MEMS驱动的光缓冲

Ng Wing H.,Podoliak Nina,Horak Peter,Wu Jiang,Liu Huiyun,Stewart William J.和Kenyon Anthony J.

plasmapro 100 rie

光电子

2010年12月

沉积Al的热和血浆辅助原子层的介电性能2o3薄膜

K. B. Jinesh,J。L。Van Hemmen,M。C。M. Van De Sanden,F。Roozeboom,J.H.Klootwijk,W。F。A. A. Besling和W. M. M. M. Kessels

挠性

半导体,量子

2008年2月

制造22 nm t-gates用于HEMT应用bob综合app官网登录

S. Bentley,X。Li,D.A.J。莫兰(I.G.)泰恩

plasmapro 100 rie

RF设备

2006年10月

通过电感耦合等离子体沉积在室温下沉积的低氢气含氧于氮化硅

朝湖,哈立德·埃尔格德(Khaled Elgaid),克里斯·威尔金森(Chris Wilkinson)和Iain Thayne

plasmapro 100 ICPCVD

RF设备

我们客户已发表的研究

通过自上而下的自下而上的方法创建常规阵列的定期ALN纳米结构-R.Armstrong,P-M.Coulon,P.Bozinakis,R.W.Martin,P.A. shields

高功率SI侧壁加热器,用于由沟槽辅助表面通道技术制造的流体应用bob综合app官网登录-H。Veltkamp,Y. Zhao,M。J。De Boer,R。G。P. Sanders,R。J。Wiegerink和J. C.Lötters

离子对TiO2等离子辅助原子层沉积过程中膜形成性和结晶度的影响-Karsten Arts,Harvey ThePass,Marcel A. Verheijen,Riikka L. Puurunen,Wilhelmus M. M. M. Kessels,Harm C. M. Knoops