等离子蚀刻是当今世界的一个重要工具,使许多我们认为理所当然的技术成为可能。例如,智能手机就不可能没有它。等离子体蚀刻是一种在几乎任何材料上创造特征的方法,这些特征可以在纳米尺度或100微米;这种技术可以用来制作所有的。
等离子体蚀刻的领先技术之一是ICP-RIE,它在工艺性能上提供了许多优势:
为了采取轮廓控制并说明其好处:摩尔定律已经驱动器件的关键尺寸(CD)到低于µm水平。如果你有一个在相同方向上垂直和水平蚀刻的功能,这样一个紧密排列的设备阵列很快就会相互干扰。
ICP-RIE等离子刻蚀可以产生完美的垂直特性,从而保持光盘。与湿法蚀刻相比,它被广泛使用正是因为这个原因。
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PE蚀刻是等离子体蚀刻解决方案的最小方向,因此不适合创建精细的垂直特征。它被用于高度选择性的各向同性过程中,那里的下凹是可接受的,它可以用于清除大面积的材料选择性底层。
等离子蚀刻是一种复杂的、通用的技术,用于制造各种各样的设备。
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