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介绍
等离子体刻蚀

什么是等离子蚀刻?

等离子蚀刻是当今世界的一个重要工具,使许多我们认为理所当然的技术成为可能。例如,智能手机就不可能没有它。等离子体蚀刻是一种在几乎任何材料上创造特征的方法,这些特征可以在纳米尺度或100微米;这种技术可以用来制作所有的。

电感耦合等离子体反应离子刻蚀

等离子体蚀刻的领先技术之一是ICP-RIE,它在工艺性能上提供了许多优势:

  • 可控制从极高到超低的刻蚀速率
  • 低伤害
  • 对掩模和底材具有高选择性
  • 伟大的概要文件控制

为了采取轮廓控制并说明其好处:摩尔定律已经驱动器件的关键尺寸(CD)到低于µm水平。如果你有一个在相同方向上垂直和水平蚀刻的功能,这样一个紧密排列的设备阵列很快就会相互干扰。

ICP-RIE等离子刻蚀可以产生完美的垂直特性,从而保持光盘。与湿法蚀刻相比,它被广泛使用正是因为这个原因。

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深硅等离子RIE刻蚀

采用ICP RIE的深硅蚀刻

等离子体刻蚀

砷化镓VCSEL蚀刻工艺

活性离子刻蚀

等离子刻蚀的RIE已经被广泛使用了几十年,虽然它的性能不匹配的ICP-RIE,但它是一个简单的技术,是非常有效的许多应用。bob综合app官网登录

例如,介质掩模的等离子蚀刻通常不需要很高的速率,而RIE提供了足够的垂直度来创造伟大的掩模。

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二氧化硅RIE蚀刻

二氧化硅(SiO2) RIE蚀刻

等离子增强(PE)刻蚀

PE蚀刻是等离子体蚀刻解决方案的最小方向,因此不适合创建精细的垂直特征。它被用于高度选择性的各向同性过程中,那里的下凹是可接受的,它可以用于清除大面积的材料选择性底层。

等离子蚀刻是一种复杂的、通用的技术,用于制造各种各样的设备。

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失效分析等离子体增强蚀刻

使用PE蚀刻进行失效分析

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