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扩张

离子离子束

我们的离子束蚀刻(IBE)和沉积(IBD)系统是高质量材料处理的热门选择。我们的系统具有灵活的硬件选项,包括打开负载,单基底负载锁和盒式盒式盒式盒式盒式磁带。系统规格紧密调整为应用程序,从而更快,可重复的过程结果。bob综合app官网登录

  • 多模式功能

  • 能够与其他等离子体蚀刻和沉积工具聚类

  • 单晶片载荷或簇晶片处理

  • 双光束配置

  • 表面膜粗糙度非常低

  • 无与伦比的批处理均匀性和过程可重复性

  • 准确的终点检测 - SIMS,光学发射

  • 高质量的薄膜超低污染

  • 高吞吐量降低了占低成本的占地面积

  • 获得专利的高速基板支架(最高500 rpm)

  • 非常准确的原位光学膜控制


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离子光束技术通过提供单个工具并最大化系统利用来提供一种非常通用的蚀刻和沉积方法。离子束蚀刻提供最大的柔韧性,并具有出色的均匀性。

我们的系统具有灵活的硬件选项,包括打开负载,单基底负载锁和盒式盒式盒式盒式盒式磁带。系统规格紧密调整为应用程序,从而更快,可重复的过程结果。bob综合app官网登录

关键好处

  • 高级研究应用程序的灵活配置bob综合app官网登录
  • 无与伦比的均匀性和过程可重复性
  • 柔性晶圆处理能力 - 单晶片载荷锁或盒式磁带到机器人处理程序

硬件功能

晶圆大小 100毫米 200毫米
蚀刻源来源 15厘米 30厘米
基材旋转速度 长达20 rpm
底物倾斜角 -90°水平至 +65°面向向下
压板温度 10°C至300°C冷却器或加热器配置

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  • 倾斜的蚀刻
  • 激光片段蚀刻
  • 磁性随机访问记忆(MRAM)
  • 介电膜
  • III-V光子学蚀刻
  • Spintronics
  • 金属接触和轨道
  • 超导体

离子束蚀刻模式

  • 离子束蚀刻(IBE) /离子束铣削
  • 反应性离子束蚀刻(肋骨)
  • 化学辅助离子束蚀刻(CAIBE)

需要有关IBE离子法的更多信息?

联系我们

离子光束技术通过提供单个工具并最大化系统利用来提供一种非常通用的蚀刻和沉积方法。我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量,致密和光滑表面的沉积膜的能力。

我们的系统具有灵活的硬件选项,包括打开负载,单基底负载锁和盒式盒式盒式盒式盒式磁带。系统规格紧密调整为应用程序,从而更快,可重复的过程结果。bob综合app官网登录

关键好处

  • 高质量的薄膜具有超低污染
  • 高吞吐量,占地面积减少,以最低的运营成本
  • 无与伦比的批处理均匀性和过程可重复性
  • 非常准确的光膜厚度控制
  • 表面膜粗糙度非常低

硬件功能

晶圆大小 100毫米 200毫米
沉积离子源 15厘米 15厘米
基材旋转速度 长达20 rpm
底物倾斜角 -90°水平至 +65°面向向下
压板温度 10°C至300°C冷却器或加热器配置

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  • 激光片涂层(包括高反射和反射)
  • 环激光陀螺镜镜
  • X射线光学元件
  • 基于II-VI的红外(IR)传感器
  • IR传感器(氧化钒,II-VI)
  • 电信过滤器

离子束沉积模式

  • 离子束溅射沉积(IBSD)
  • 离子辅助溅射沉积(IASD)
  • 反应性离子束沉积(ribd)

需要有关IBD离子法的更多信息吗?

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离子标准室

紧凑型离子束蚀刻和沉积系统,专为灵活的研究和试点生产而设计,配备了多达两个(15厘米)的离子源用于蚀刻或沉积。这使其非常适合在200毫米晶片尺寸和最多可用于100毫米晶片尺寸的蚀刻过程中沉积。

离子大室

它具有基本相同的占地面积,但具有较大的工艺室,其设计旨在为蚀刻和沉积的最高为200 mm的晶片。该系统配备了30厘米的蚀刻源,可提供出色的蚀刻均匀性和出色的过程稳定性,使其成为试点和全尺度生产的绝佳选择。

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