离子光束技术通过提供单个工具并最大化系统利用来提供一种非常通用的蚀刻和沉积方法。离子束蚀刻提供最大的柔韧性,并具有出色的均匀性。
我们的系统具有灵活的硬件选项,包括打开负载,单基底负载锁和盒式盒式盒式盒式盒式磁带。系统规格紧密调整为应用程序,从而更快,可重复的过程结果。bob综合app官网登录
晶圆大小 | 100毫米 | 200毫米 | |||||||||
蚀刻源来源 | 15厘米 | 30厘米 | |||||||||
基材旋转速度 | 长达20 rpm | ||||||||||
底物倾斜角 | -90°水平至 +65°面向向下 | ||||||||||
压板温度 | 10°C至300°C冷却器或加热器配置 |
需要有关IBE离子法的更多信息?
联系我们离子光束技术通过提供单个工具并最大化系统利用来提供一种非常通用的蚀刻和沉积方法。我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量,致密和光滑表面的沉积膜的能力。
我们的系统具有灵活的硬件选项,包括打开负载,单基底负载锁和盒式盒式盒式盒式盒式磁带。系统规格紧密调整为应用程序,从而更快,可重复的过程结果。bob综合app官网登录
晶圆大小 | 100毫米 | 200毫米 | |||||||||
沉积离子源 | 15厘米 | 15厘米 | |||||||||
基材旋转速度 | 长达20 rpm | ||||||||||
底物倾斜角 | -90°水平至 +65°面向向下 | ||||||||||
压板温度 | 10°C至300°C冷却器或加热器配置 |
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联系我们紧凑型离子束蚀刻和沉积系统,专为灵活的研究和试点生产而设计,配备了多达两个(15厘米)的离子源用于蚀刻或沉积。这使其非常适合在200毫米晶片尺寸和最多可用于100毫米晶片尺寸的蚀刻过程中沉积。
它具有基本相同的占地面积,但具有较大的工艺室,其设计旨在为蚀刻和沉积的最高为200 mm的晶片。该系统配备了30厘米的蚀刻源,可提供出色的蚀刻均匀性和出色的过程稳定性,使其成为试点和全尺度生产的绝佳选择。
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