铬(CR)金属通常用于制作光刻的光掩膜,它也被用作蚀刻材料(例如二氧化硅。它可以使用电感耦合等离子体(ICP),,,,反应性离子蚀刻(RIE)或者离子束蚀刻(ibe)。
我们使用我们的蚀刻技术组合来控制临界尺寸至100nm的临界尺寸。以高精度和出色的统一性处理使我们的客户能够设计创新的光学元素。
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过程展示了具有优化曲线的CD的出色控制。
70nm融合二氧化硅线。933nm深CR面膜。由康奈尔纳米科学设施提供
用于控制重新沉积并以竞争性蚀刻速度产生良好形象的过程专业知识。
在晶圆上证明了对轮廓的良好控制。