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材料与流程 原文如此 SiO2 艾尔2O3. Cr Algan / Gan. 浏览更多…
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ICP rie蚀刻 80年PlasmaPro ICP PlasmApro 100 Cobra ICP PlasmaPro 100 Polaris ICP RIE Plasmapro 80 Rie. 100年PlasmaPro RIE 800年PlasmaPro RIE
深硅蚀刻
Plasmapro 100 Estrelas dsie
PECVD 80年PlasmaPro PECVD PlasmApro 100 PECVD PlasmApro 800 PECVD ICPCVD. 80年PlasmaPro ICPCVD PlasmApro 100 ICPCVD CVD. PlasmApro 100纳米CVD
“肾上腺脑白质退化症” Atomfab退化 Flexal Ald.
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PlasmaPro 100啤酒
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PlasmaPro 80 ICP RIE

PlasmApro 80 ICP蚀刻
PlasmaPro 80 ICP与操作人员使用软件
Plasmapro 80与运营商

PlasmaPro 80 ICP RIE是一种紧凑、占地面积小的系统，提供多功能的ICP蚀刻解决方案，方便开放加载。它易于现场和易于使用，没有妥协的过程质量。开式加载设计允许快速加载和卸载晶片，是研究、原型和小批量生产的理想选择。它使用优化的电极冷却和优良的基片温度控制实现高性能的工艺．

  • 开式加载设计，可快速加载和卸载晶片
  • 优异的蚀刻控制和速度测定
  • 良好的晶片温度均匀性
  • 最多200毫米的晶圆
  • 拥有成本低
  • 构建于SEMI S2 / S8标准


要求定价添加到报价表中

  • III-V腐蚀过程
  • 硅博世和冷冻蚀刻流程
  • SiO2和石英腐蚀
  • 故障分析干蚀刻除去从包装芯片和模具蚀刻到全200mm晶片蚀刻
  • 高亮度LED生产的硬掩模沉积和蚀刻
除去顶部介电层，暴露四个金属层

    除去顶部介电层，暴露四个金属层

    除去顶部介电层，暴露四个金属层

    除去顶部介电层，暴露四个金属层

    ICP65中的低损伤FA蚀刻

    ICP65中的低损伤FA蚀刻

    • 占用空间小- 易于现场
    • 优化电极冷却-衬底温度控制
    • 高导径向(轴对称)泵浦结构—保证增强的过程一致性和速率
    • 添加<500ms数据记录- 可追溯性和腔室和工艺条件的历史
    • 紧耦合涡轮泵-泵送速度快，基压好
    • 对关键组件的访问非常容易- 改进的可维护性和维护
    • X20控制系统- 大大增加数据检索并提供更快，更可重复的匹配
    • 通过前端软件故障和工具诊断—快速故障诊断
    • 使用干涉测量法的激光端点检测- 在反射表面（例如，Si上的氧化物）上的透明材料中的蚀刻深度，或用于非透明材料（例如金属）的反射仪以确定层边界
    • 光学发射光谱法(OES)用于大样品或批量过程末端指向- 检测反应气体物种的蚀刻副产品或耗尽的变化，以及腔室清洁端指向
    下载手册

    全球客户支持

    bob平台下载手机版牛津工具致力于提供全面，灵活可靠的全球客户支持。我们在整个系统中提供优质的服务。

    • 远程诊断软件提供快速且易于故障的诊断和分辨率。
    • 支持合同可根据预算和情况提供。
    • 在战略位置提供全球备件，快速响应。
    了解更多

    新：PTIQ软件

    PTIQ是针对PlasmaPro和Ionfab加工设备的最新智能软件解决方案。

    • 异常灵敏的系统控制
    • 优化系统和过程性能
    • 不同级别的软件适合您的要求
    • 全新直观的布局设计
    了解更多

    即将来临的事件

    10月
    26.
    石墨烯2021.
    地点：
    格勒诺布尔，法国
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    血浆技术，纳米科学
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    11月
    9
    CS国际2021
    地点：
    比利时布鲁塞尔
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    等离子体技术
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    11月
    16.
    2021年半导体欧罗巴
    地点：
    德国慕尼黑
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    等离子技术，庇护研究，纳米分析
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