磷化铟(InP)——等离子体刻蚀和沉积

5在腐蚀过程中寻找关键要素:

晶片高吞吐量

快速腐蚀率和较低的清洁费用意味着更高的工具正常运行时间。通过你的工厂提高正常运行时间意味着更多的晶片

配置文件控制

垂直方面意味着更高的设备效率,更多的光功率

光滑的表面

光滑表面意味着更少的光散射——更有用

准确的深度控制

基本这样复杂的结构,停止在正确的层可以使或打破你的设备

均匀性

均匀腐蚀深度意味着更多的设备可以由每个晶片,提高产量降低成本