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砷化镓(GaAs)

砷化镓(GaAs)常用与砷化铝镓(AlGaAs)在光电子器件中形成反射镜等VCSELs.它也是多量子阱(mqw)的一部分,这是许多设备性能的关键。AlGaAs可干蚀刻使用电感耦合等离子体(ICP)活性离子蚀刻(RIE)离子束蚀刻.蚀刻过程可以选择性或非选择性GaAs取决于要求。

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砷化镓

在高刻蚀速率下,具有低特征脚和光滑的蚀刻表面的优秀轮廓。

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GaAs/AlGaAs ICP刻蚀

GaAs/AlGaAs可以使用活性离子蚀刻(RIE)的过程。极好的外形,低特征脚和光滑的蚀刻表面。

  • 单片尺寸:最大可达200mm
  • 批处理大小:高达6x2”
更多的RIE 索取更多资料
砷化镓/ AlGaAs RIE

GaAs/AlGaAs多层蚀刻

GaAs可以被蚀刻活性离子束腐蚀(RIBE)过程的技术。

具有竞争力的蚀刻速率,选择性和轮廓。

  • 晶片尺寸:最大可达200mm
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砷化镓活性离子束腐蚀

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