白皮书
世界领先的SiC功率器件等离子体工艺解决方案

bob平台下载手机版牛津仪器等离子技术开发了一套创新的等离子过程解决方案，旨在最大限度地提高碳化硅(SiC)器件的性能。

碳化硅在功率器件制造中具有一套独特的理想性能，并正在逐步应用于实现新的令人兴奋的技术所需的突破性性能。SiC是一种宽带隙半导体，具有高击穿场和高热导率。这些固有的优势使电力设备的生产能够满足日益紧迫的工业要求，即更小、更轻、更高效的技术，并能在高温下工作。碳化硅功率器件在电源/功率因数校正和光伏应用方面已经取得了一定的效益和可观的市场。bob综合app官网登录电动和混合动力汽车(EV和HV)以及相关的基础设施即将问世。从长远来看，节省大量效率的范围是相当可观的，远远超出了这些关键应用。bob综合app官网登录

在本白皮书中，我们考虑了等离子体处理的作用及其在定义设备性能和应用的最佳策略方面的重要性。我们还研究了原始SiC器件的结构，如肖特基势垒二极管(SBDs)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。

作者

马克Dineen博士
牛津仪器等离子技术市场部经理bob平台下载手机版