硅(Si)

bob平台下载手机版牛津仪器等离子技术提供世界领先的工艺解决方案硅(Si)。从快速，深度，控制蚀刻到最好的纳米结构，我们有您需要的等离子体解决方案。

硅是半导体行业的基石，也是大多数MEMS器件的原材料。它的性质和丰富性意味着它永远存在于现代技术中。

蚀刻Si有几种解决方案，选择在很大程度上取决于所需的器件结构:

博世工艺使高蚀刻速率，选择性和各向异性
低温深层硅蚀刻(Cryo-DSiE)通常用于光滑侧壁和/或纳米蚀刻或微模具等应用中的锥形型材。bob综合app官网登录
混合过程是浅、低侧面精细特征的一种选择
高质量a-Si的沉积是通过使用PECVD

高速率，高选择性深硅蚀刻工艺采用交替沉积和蚀刻步骤
适用于硅、硅绝缘体(SOI)和硅玻璃
晶片尺寸:最多2"
- 产品:PlasmaPro 80
晶片尺寸:最大可达200mm
- 产品:PlasmaPro 100

博世深硅蚀刻

博世DSi蚀刻牛津标志

博世DSi蚀刻

深硅博世蚀刻

索取更多资料

聚硅可以使用不同的化学方法，使用纯硅和稀释硅烷。高品质多晶硅超过2英寸晶圆。

晶片尺寸:最大可达200mm
- 产品:PlasmaPro 100/PlasmaPro 100 Estrelas

索取更多资料

硅混合蚀刻

硅可以用HBr基选择性硅蚀刻干燥蚀刻电感耦合等离子体(ICP)过程的技术。

关于各种工艺化学的大型工艺数据库。
从黑硅形成到高长宽比特征，竞争工艺导致了大量的应用。bob综合app官网登录

晶片尺寸:最大可达200mm
- 产品:PlasmaPro 100

索取更多资料

HBr Si蚀刻

各向同性硅蚀刻具有高选择性光刻胶(PR)和硅氧化物(SiO)₂）
也适用于MEMS释放蚀刻
晶片大小:可达200mm
- 产品:PlasmaPro 100/PlasmaPro 100 Estrelas

索取更多资料

各向同性硅蚀刻

深硅蚀刻使用简单和极其干净的等离子化学在低温
垂直的特点，光滑的侧壁
晶片尺寸:最大可达200mm
- 产品:PlasmaPro 100/PlasmaPro 100 Estrelas

索取更多资料

低温硅蚀刻

低温硅蚀刻

低温硅蚀刻

低温硅蚀刻

超高选择性低温硅蚀刻

超高选择性低温硅蚀刻

相关产品