为下一代GaN hemt提供原子层处理解决方案
inp基激光器和光电二极管的等离子体解决方案
高蚀刻率。高选择性。低伤害处理。卓越的剖面控制。独立控制衬底直流偏置。
简单和经济的解决方案,等离子蚀刻,化学蚀刻和离子诱导蚀刻的应用,包括失效分析。bob综合app官网登录
完善的技术,广泛的各种薄膜,高质量的钝化和高密度掩模。
在纳米级结构,GaN HEMT和RF器件工程中具有独特的灵活性和能力,可提供可集群的选项。
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