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宽带隙功率半导体器件生产

可再生能源的日益普及和电动汽车的前景越来越近，正在推动对功率半导体组件的需求。到目前为止，器件技术主要基于硅，但宽带隙材料，如GaN和SiC，提供了提高效率和降低功率器件能量损失的可能性。

通过结合我们为大功率硅器件制造提供加工设备的独特历史，以及我们在基于GaN的HBLED器件制造的生产设备和工艺方面的丰富经验，我们已经为宽带隙功率器件制造提供了世界领先的解决方案。

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