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网络研讨会
你有GaN器件的最佳栅极电介质吗?


介绍

用于功率转换和传输的新型氮化镓电力电子产品正在开发中。在电动和混合动力汽车(EV和HEV)等电动交通工具中,这些设备正变得越来越重要,设备成本和效率对它们的成功至关重要。

在本次网络研讨会中,Aileen O'Mahony博士将讨论GaN HEMT器件的最佳ALD解决方案。我们将演示如何实现提供最佳GaN器件性能所需的高薄膜质量和低界面缺陷密度,以及如何实现以下目标:

  • 优秀的薄膜均匀性
  • 优化的工艺条件,低基板损伤
  • 高材料质量,优越的设备性能
  • 保形沉积

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艾琳O’mahony博士

艾琳O’mahony博士
牛津仪器等离子体技术原子尺度加工产品经理bob平台下载手机版

Aileen O 'Mahony博士拥有University College Cork的化学博士学位,在微电子应用的原子层沉积(ALD)领域。bob综合app官网登录Aileen曾在美国和英国从事ald功能化产品商业化的工业驱动过程开发工作。

她现在专注于推进原子尺度加工产品解决方案。她是20多篇论文的作者和合著者,并出席了许多国际会议。


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