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扩张

(CO)用于主流半导体的产生中,用作抑制电气移民并产生专用,耐磨性和合金的障碍。它被蚀刻电感耦合等离子体(ICP)或者离子束蚀刻(ibe)。bob平台下载手机版牛津工具等离子技术过程专业知识用于控制重新沉积并以竞争性的蚀刻速度产生良好的概况。

  • 晶圆尺寸:最多200mm
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