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磷化镓(GaP)是一种间接带隙为2.26eV的复合半导体材料。由于其光学特性，它已被用于制造led和其他光电子器件。它可以蚀刻使用电感耦合等离子体(ICP)，反应离子蚀刻(RIE)或离子束腐蚀(IBE)．
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