硅锗

硅锗(SiGe)可用于制造异质结双极晶体管(HBT)或CMOS器件。SiGe可采用干蚀刻电感耦合等离子体(ICP)并沉积使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

ICP
PECVD

优秀的各向异性。

晶片尺寸:最大可达200mm
- 产品:PlasmaPro 100

索取更多资料更多关于ICP

Poly SiGe可在>500温度下使用^oC
可以使用不同的化学方法:纯硅烷和稀释硅烷与GeH₄．

晶片尺寸:最大可达200mm
- 产品:PlasmaPro 100

更多关于PECVD 索取更多资料

相关产品