射频解决方案

宽带隙(WBG)器件能够为许多现代器件技术提供独特的射频性能。基站需要在高功率下运行的快速交换设备，以提供消费者所需的数据传输量。创造、分散和收集能源的新方法对于满足日益增长的人口需求至关重要。GaN hemt等半导体技术正被用于改善电动汽车等绿色技术的能源使用，以及基站传输等通信应用。bob综合app官网登录

化合物半导体射频器件的工艺

bob平台下载手机版牛津仪器公司拥有广泛的加工设备，适用于复合半导体射频器件。

我们的原子层沉积(ALD)工艺提供了极好的GaN/AlGaN钝化，降低阈值电压漂移，实现了市场上最快的远程等离子体生产系统:ATOMFAB．
我们的氮化镓腐蚀功率半导体器件的工艺得到优化，以减少等离子体损伤并产生光滑的蚀刻轮廓
蚀刻速率可以调整到几纳米/分钟，以实现超低损伤和仅10-30nm的可控蚀刻沃甘
SiC蚀刻实现高产量和优良的井壁质量

Atomfab ald系统

Atomfab是我们ALD系统技术的最新创新，为GaN电源和射频器件提供快节奏、低损坏、低CoO生产的等离子ALD处理。

极佳的薄膜均匀性
基材损伤小
竞争首席运营官

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