氮化硅

氮化硅(SiNx)广泛应用于半导体工业。它的应用包bob综合app官网登录括器件钝化和蚀刻掩模。如果_3.N₄可以使用以下技术进行沉积:

均匀性好，外形美观，损伤小。

各向异性和各向同性的轮廓可在竞争蚀刻速率和优化的均匀性。

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具有竞争力的蚀刻速率，选择性和剖面。

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氮化硅是一种具有挑战性的ALD材料。我们的系统允许高质量的材料和低损伤沉积，即使在低沉积温度。ALD氮化硅可用于防潮应用和作为先进晶体管的间隔。bob综合app官网登录

高质量的材料，低损伤，即使在低沉积温度。

可以使用不同的化学物质:纯硅烷和稀释硅烷
低BOE的高质量薄膜
薄膜厚度均匀性好
含NH的氢含量低_3.自由的过程
薄膜应力控制
折射率控制
低温沉积降至20°C
沉积速率从5-100nm/min

可以使用不同的化学物质:纯硅烷和稀释硅烷
低BOE的高质量薄膜
薄膜厚度均匀性好
含NH的氢含量低_3.自由的过程
薄膜应力控制
折射率控制
沉积速率从5-500nm/min

优异的化学计量学与竞争沉积速率和控制应力。

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